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셀 영역 및 상기 셀 영역 둘레에 배선영역을 포함하는 기판을 준비하는 것;상기 기판 상에 제 1 버퍼층과 상기 제 1 버퍼층보다 굴절율이 낮은 제 2 버퍼층을 차례로 형성하는 것; 및상기 제 2 버퍼층 상에 투명전극을 형성하는 것을 포함하되,상기 제 2 버퍼층은 SiOC물질로 이루어진 터치 스크린 패널의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 버퍼층을 형성하는 것은, 1% 내지 40%의 산소 분압에서 SiC 타겟을 이용한 반응성 스퍼터링 공정을 수행하는 것을 포함하는 터치 스크린 패널 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명전극은 ITO(Indum Tin Oxide) 물질로 이루어진 터치 스크린 패널 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 투명전극의 두께는 10nm 내지 100nm인 터치 스크린 패널의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 버퍼층은 TiO2, Nb2O5, ZrO2, Ta2O5, 또는 HfO2 물질로 이루어진 터치 스크린 패널의 제조 방법
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6
제 1 항에 있어서,상기 제 1 버퍼층의 두께는 3nm 내지 100nm인 터치 스크린 패널의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 버퍼층의 굴절률은 1
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 버퍼층의 두께는 5nm 내지 100nm인 터치 스크린 패널의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 버퍼층의 굴절률은 1
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10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 버퍼층, 상기 제 2 버퍼층, 및 상기 투명 전극은 연속 증착 방법에 의하여 형성되는 터치 스크린 패널의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 투명전극은 상기 제 2 버퍼층 상에 패터닝되어 상기 제 2 버퍼층의 일부분을 노출시키며, 상기 투명전극에 반사되는 빛의 반사도와 노출된 상기 제 2 버퍼층에 반사되는 빛의 반사도 차이가 1% 미만인 터치 스크린 패널의 제조 방법
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기판 상에 차례로 적층된 제 1 버퍼층 및 제 2 버퍼층;상기 제 2 버퍼층 상에 X축 방향으로 나열하여 배치되는 X축 전극들;상기 X축 전극들과 이격 되며 상기 제 2 버퍼층 상에 Y축 방향으로 나열하여 배치되는 Y축 전극 셀들;상기 Y축 전극 셀들 사이에 위치하는 상기 X축 전극들을 덮는 절연 패턴들; 및상기 절연 패턴 상에 배치되며 상기 Y축 전극 셀들을 연결하는 브릿지 전극을 포함하되,상기 제 2 버퍼층은 SiOC 물질로 이루어진 터치 스크린 패널
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제 12 항에 있어서,상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들은 ITO(Indum Tin Oxide) 물질로 이루어진 터치 스크린 패널
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제 13 항에 있어서,상기 X축 전극들 및 상기 Y축 전극 셀들의 두께는 10nm 내지 100nm인 터치 스크린 패널
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 버퍼층은 TiO2, Nb2O5, ZrO2, Ta2O5, 또는 HfO2 물질로 이루어진 터치 스크린 패널
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 버퍼층의 두께는 3nm 내지 100nm인 터치 스크린 패널
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 버퍼층의 굴절률은 1
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제 12 항에 있어서,상기 제 2 버퍼층의 두께는 5nm 내지 100nm인 터치 스크린 패널
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제 12 항에 있어서,상기 제 2 버퍼층의 굴절률은 1
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