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제1 전극; 상기 제1 전극과 이격된 제2 전극; 및상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 접하며 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 인가되는 전압에 따라 금속-절연체 전이되어 발광하는 반도체막을 포함하는 MIT 기반의 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체막은 아발란치 현상에 의해 페르미 준위로 여기된 전하가 자발 방출되면서 발광하는 MIT 기반의 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 1 내지 200V의 전압을 인가하여 상기 반도체막을 발광시키는 MIT 기반의 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체막은 P형 또는 n형 반도체막인 MIT 기반의 발광 소자
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제4항에 있어서,상기 반도체막은 GaAs, 또는 GaN로 형성된 MIT 기반의 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 반도체막은 농도가 상이한 복수의 반도체막이 적층된 구조를 갖는 MIT 기반의 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 반도체막과 동일한 층에 형성되고, 상기 제2 전극은 상기 반도체막의 상부에 형성되는 MIT 기반의 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극은 상기 반도체막의 하부에 형성되고, 상기 제2 전극은 상기 반도체막의 상부에 형성된 MIT 기반의 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 상기 반도체막과 동일한 층에 형성되되, 상기 제1 전극은 상기 반도체막의 일 측벽 및 상부 일부와 접하고 상기 제2 전극은 상기 상기 반도체막의 타 측벽 및 상부 일부와 접하는 MIT 기반의 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 제1전극은 상기 반도체막의 하부에 형성되며, 금속 기판 및 상기 금속 기판의 하부에 형성된 보호용 금속막을 포함하고, 상기 제2전극은 상기 반도체막의 상부에 형성된 투명 전극인 MIT 기반의 발광 소자
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제10항에 있어서,상기의 금속기판은 Cu, Mo, Al 또는 금속판을 포함하고, 상기 보호용 금속막은 Au, Cu, Mo, Al 또는 금속막을 포함하는 MIT 기반의 발광 소자
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제10항에 있어서,상기 제2 전극의 상부에 형성된 본딩용 전극을 더 포함하는 MIT 기반의 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 기판의 하부면과 접하는 금속 반사판을 더 포함하는 MIT 기반의 발광 소자
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제1항에 있어서,기판; 및상기 기판과 상기 제1 전극 사이에 개재된 버퍼막을 더 포함하는 MIT 기반의 발광 소자
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제14항에 있어서,상기 기판은 사파이어, Si, GaAs, Cu, Mo, Al, 또는 금속판을 포함하는 MIT 기반의 발광 소자
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제14항에 있어서,상기 버퍼막은 상기 기판과의 격자미스매치가 작은 GaAs 또는 GaN를 포함하는 절연체인 IT 기반의 발광 소자
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재1항에 있어서,상기 제 1 전극 및 상기 제 2전극은 Al, Cu, Mo, W, Ni, Ti/Au, Ti/Al, Cr/Al, Ti/Ni/Al, Cr/Ti/Au, Ti/W/Al, Ti/Mo/Al, Ti/Ni/Au 또는 Sn을 포함하는 ITO 투명전극인 MIT 기반의 발광 소자
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제1항에 있어서,상기 발광소자는 패키지 다이(die)에 본딩되고, 상기 제1전극 및 상기 제2전극은 와이어로 전극단자에 본딩되어, 렌즈와 함께 패키지되는 MIT 기반의 발광 소자
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제18항에 있어서,상기 발광소자는 상기 반도체막의 상부에 구비된 황색 형광체와 함께 패키지되는 MIT 기반의 발광 소자
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