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광을 편광시키는 편광기에서, 기판, 상기 기판 위에 위치하는 제1 유전체층, 상기 제1 유전체층 위에 위치하는 제2 유전체층, 상기 제2 유전체층 내에 위치하며 입사된 광을 전달하는 광 도파로, 상기 제2 유전체층 위에 위치하는 제3 유전체층, 그리고 상기 광 도파로에 대응하여 위치하는 그래핀층을 포함하는 편광기
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제1항에서, 상기 편광기는 TE(Transverse Electric) 모드 성분만을 통과시키는 TE 모드 통과 편광기인 편광기
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제1항에서, 상기 그래핀층은 단층으로 형성되는 편광기
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제1항에서, 상기 그래핀층은 다층으로 형성되는 편광기
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제1항에서, 상기 그래핀층은 도전성 불순물로 도핑되어 있는 편광기
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제1항에서, 상기 그래핀층은 제3 유전체층 위에 위치하는 편광기
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제1항에서, 상기 그래핀층은 제3 유전체층 내에 위치하는 편광기
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제1항에서, 상기 그래핀층은 상기 광 도파로 바로 위에 위치하는 편광기
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9
제1항에서, 상기 광 도파로는 상기 제1 유전체층과 다른 굴절율을 가지는 편광기
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10
제1항에서, 상기 광도파로는 실리콘, 실리콘 질화물 또는 광소자용 고분자로 이루어지는 편광기
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11
제1항에서, 상기 광 도파로는 전도성 물질로 이루어지는 편광기
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12
제11항에서, 상기 그래핀층 위에 형성되는 제4 유전체층, 상기 제4 유전체층 위에 상기 그래핀층에 대응하여 형성되는 금속 박막, 그리고 상기 금속 박막과 상기 광 도파로 사이에 설정 전압을 인가하는 전압 공급부를 더 포함하는 편광기
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13
제11항에서, 상기 그래핀층과 상기 광 도파로 사이에 설정 전압을 인가하는 전압 공급부를 더 포함하는 편광기
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14
제12항 또는 제13항에서,상기 설정 전압은 교류 전압인 편광기
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15
광을 편광시키는 편광기에서, 기판, 상기 기판 위에 위치하는 제1 유전체층, 그리고 상기 제1 유전체층 내에 위치하며 입사된 광을 전송하는 광 도파로, 그리고 상기 광 도파로에 대응하여 위치하며 상기 광 도파로에서 전송하는 광을 편광시키는 그래핀층을 포함하는 편광기
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16
제15항에서, 상기 그래핀층은 단층 또는 다층으로 형성되는 편광기
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제15항에서, 상기 그래핀층은 상기 광 도파로 바로 위에 위치하거나 상기 광 도파로와 이격되어 상기 제1 유전체층 내 또는 상기 제1 유전체층 위에 위치하는 편광기
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제15항에서, 상기 그래핀층 위에 형성되는 제2 유전체층, 상기 제2 유전체층 위에 상기 그래핀층에 대응하여 형성되는 금속 박막, 그리고 상기 금속 박막과 상기 광 도파로 사이에 교류 또는 직류 전압을 인가하는 전압 공급부를 더 포함하는 편광기
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19
제15항에서, 상기 그래핀층과 상기 광 도파로 사이에 교류 또는 직류 전압을 인가하는 전압 공급부를 더 포함하는 편광기
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제15항에서, 상기 그래핀층은 도전성 불순물로 도핑되어 있는 편광기
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