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탄소 나노 구조체(carbon nanostructure);상기 탄소 나노 구조체의 일단으로부터 탄소 원자의 방출을 유도하는 탄소 방출 구조체(carbon emitting structure); 및상기 방출된 탄소 원자를 이온화시키는 이온화 구조체(ionizing structure)를 포함하는 탄소 이온 발생 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 탄소 방출 구조체는 상기 탄소 나노 구조체의 일단으로부터의 전자 방출을 유도하는 전자 방출 유도부를 포함하되, 상기 전자 방출은 상기 탄소 나노 구조체의 일단을 가열함으로써 상기 탄소 원자의 방출을 유발하는데 이용되는 것을 특징으로 하는 탄소 이온 발생 장치
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청구항 2에 있어서, 상기 전자 방출 유도부는, 상기 탄소 나노 구조체가 위치하는 공간에 전자 방출을 유도할 수 있는 크기의 전기장을 생성하는, 전기장 생성 장치를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 이온 발생 장치
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청구항 3에 있어서, 상기 전기장 생성 장치는 상기 탄소 나노 구조체의 상기 일단에 인접하게 배치되는 상부 전극;상기 탄소 나노 구조체의 타단에 접속하는 하부 전극; 및상기 상부 전극 및 하부 전극 사이에 제 1 전위차를 생성하는 전원부를 포함하되, 상기 제 1 전위차는 상기 탄소 나노 구조체의 상기 일단에서 전자 방출을 유도할 수 있는 최소 전압보다 큰 것을 특징으로 하는 탄소 이온 발생 장치
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청구항 2에 있어서, 상기 탄소 방출 구조체는 이온빔 방출 장치를 더 포함하되, 상기 이온빔 방출 장치는 상기 탄소 나노 구조체의 상기 일단에 이온 충돌(ion bombardment)을 수행하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 탄소 이온 발생 장치
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청구항 5에 있어서, 상기 이온빔 방출 장치는 아르곤 이온을 상기 탄소 나노 구조체의 상기 일단에 충돌시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 탄소 이온 발생 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 이온화 구조체는 하전입자 방출 장치를 포함하되,상기 하전입자 방출 장치는 상기 방출된 탄소 원자들과 전기적으로 상호작용하여 이들을 이온화시키는 하전입자들(charged particles)을 생성하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 탄소 이온 발생 장치
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청구항 7에 있어서, 상기 하전 입자들은 탄소 원자의 이온화 에너지보다 큰 운동 에너지를 갖는 전자들인 것을 특징으로 하는 탄소 이온 발생 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 탄소 나노 구조체는 단일벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 탄소나노뿔 및 나노튜브 로프(nanotube rope) 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 이온 발생 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 탄소 나노 구조체는 전기방전, 레이저 증착, 열화학 기상증착 및 플라즈마 화학기상증착 기술들 중의 한가지를 사용하여 형성된 탄소나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소 이온 발생 장치
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탄소 나노 구조체;상기 탄소 나노 구조체의 일단으로부터 탄소 원자의 방출을 유도하는 탄소 방출 구조체; 상기 방출된 탄소 원자를 이온화시키는 이온화 구조체; 및상기 이온화된 탄소 원자를 가속시키는 가속기를 포함하는 종양 치료 장치
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청구항 11에 있어서, 상기 가속기는 선형 가속기(linear accelerator), 사이클로트론(cyclotron), 싱크로사이클로트론(synchrocyclotron) 및 싱크로트론(synchrotron) 구조들 중의 적어도 한가지를 포함하는 것을 특징으로 하는 종양 치료 장치
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청구항 11에 있어서, 상기 이온화된 탄소 원자의 상기 가속기 내에서의 가속 과정을 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 종양 치료 장치
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청구항 11에 있어서, 상기 탄소 나노 구조체는 화학기상증착 기술을 사용하여 형성된 탄소나노튜브들을 포함하는 것을 특징으로 하는 종양 치료 장치
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청구항 11에 있어서, 상기 이온화된 탄소 원자를 상기 가속기로 입사시키도록 구성되는 가이드부를 더 포함하는 종양 치료 장치
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