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응력층을 이용한 양질의 양자점 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015094797
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 양자점 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 InP 기판 상에, InAlAs, InAlGaAs, InP, InGaAsP 또는 이들로 구성된 이종접합층으로 격자 정합한 완충층을 형성한다. 상기 격자 정합한 완충층 상에, 상기 격자 정합한 완충층의 표면 구조를 변화시키고 후에 형성되는 In(Ga)As 양자점의 성장에 필요한 응력 에너지를 변조시키는 InXGa1-XAs 응력층을 형성한다. 이와 같이 마련된 시료는 In(Ga)As 양자점의 균일도가 현저하게 증가하여 포토루미네슨스의 반치폭이 감소하며 발광 세기가 현저히 증가한다. 따라서, 본 발명에 따른 In(Ga)As 양자점을 레이저 다이오드와 같은 발광소자나 광검출기 등의 광소자의 활성층으로 응용하였을 때 그 소자 특성이 개선될 수 있다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01) H01L 33/12 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020030027986 (2003.05.01)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0582540-0000 (2006.05.16)
공개번호/일자 10-2004-0094052 (2004.11.09) 문서열기
공고번호/일자 (20060523) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.05.01)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한원석 대한민국 대전광역시 유성구
2 김진수 대한민국 대전광역시 서구
3 이진홍 대한민국 대전광역시 유성구
4 홍성의 대한민국 대전광역시 유성구
5 곽호상 대한민국 대전광역시 유성구
6 오대곤 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.05.01 수리 (Accepted) 1-1-2003-0158252-00
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2004-0076510-72
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0351894-34
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2005-0534380-24
6 의견서
Written Opinion		 2005.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-0605735-83
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0605736-28
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.01.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0045315-11
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2006.03.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2006-0009233-81
10 등록결정서
Decision to grant		 2006.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0216029-24
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
InP 기판 상에, InAlAs, InAlGaAs, InP, InGaAsP 또는 이들로 구성된 이종접합층으로 격자 정합한 완충층을 형성하는 단계;상기 격자 정합한 완충층 상에, 상기 격자 정합한 완충층의 표면 구조를 변화시키고 후에 형성되는 In(Ga)As 양자점의 성장에 필요한 응력 에너지를 변조시키는 InXGa1-XAs 응력층을 형성하는 단계; 및 상기 InXGa1-XAs 응력층 상에 상기 In(Ga)As 양자점을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 InXGa1-XAs 응력층의 In의 조성비를 0
4 4
제1항에 있어서, 상기 InXGa1-XAs 응력층의 두께를 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 In(Ga)As 양자점은 유기금속화학증착법(MOCVD), 분자선증착법(MBE) 또는 화학선 증착법(CBE)을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 In(Ga)As 양자점의 두께는 3 모노레이어(Monolayer)에서 10모노레이어로 형성하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 InXGa1-XAs 응력층 및 In(Ga)As 양자점을 형성할 때 적층 주기를 1주기에서 30주기로 하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
8 7
제1항에 있어서, 상기 InXGa1-XAs 응력층 및 In(Ga)As 양자점을 형성할 때 적층 주기를 1주기에서 30주기로 하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성 방법
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1 US20040216660 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2004216660 US 미국 DOCDBFAMILY
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