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급격한 턴온 특성을 갖는 레이저 다이오드, 그 레이저다이오드를 이용한 광송신 장치, 및 그 광송신 장치를포함한 광통신 장치

  • 기술번호 : KST2015094892
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전력 소모가 작고 적은 전류 변화에 의해 높은 on/off 소광비를 얻을 수 있으며, 또한 고속의 광신호 변조가 가능한 레이저 다이오드, 그 레이저 다이오드를 이용한 광송신 장치, 및 그 광송신 장치를 포함한 광통신 장치를 제공한다. 그 레이저 다이오드는 전류의 인가에 의해 레이저 광이 생성되고 이득이 조절되는 능동(active) 영역; 및 레이저 다이오드에 요구되는 목표 광파워를 생성하는 동작 전류 이하의 급격 문턱(abrupt threshold) 전류 미만의 전류에서 레이저 다이오드에서 발생한 광파워를 흡수하는 흡수영역;을 포함하고, 급격 문턱 전류에서 출력 광파워가 급격히 증가하는 급격한 턴온(turn-on) 특성을 갖는다.레이저 다이오드, 소광비, 흡수체
Int. CL H01S 3/0941 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020060071655 (2006.07.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0819029-0000 (2008.03.27)
공개번호/일자 10-2008-0010938 (2008.01.31) 문서열기
공고번호/일자 (20080402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.07.28)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성웅 대한민국 경기 수원시 장안구
2 김봉규 대한민국 대전 서구
3 윤빈영 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 경기도 과천시 관문
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2006-0547605-41
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.06.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0032472-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0455543-10
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0757173-78
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0757174-13
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0079266-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전류의 인가에 의해 레이저 광이 생성되고 이득이 조절되는 능동(active) 영역; 및유도 방출(stimulated emission)이 발생하는 문턱(threshold) 전류에서부터 레이저 다이오드에 요구되는 목표 광파워를 생성하는 동작 전류 이하의 급격 문턱(abrupt threshold) 전류 미만의 전류까지의 상기 레이저 다이오드에서 발생한 유도 방출(stimulated emission)을 억제하고 급격한 문턱 전류이상의 동작전류에서는 유도 방출을 억제하지 않도록 하기 위하여 상기 능동영역 내부 또는 능동영역에 인접하여 형성되어 있는 흡수영역;을 포함하고,상기 급격 문턱 전류에서 출력 광파워가 급격히 증가하는 급격한 턴온(turn-on) 특성을 갖는 레이저 다이오드
2 2
제1 항에 있어서,상기 흡수영역은 흡수체(absorber), 광 스위치 및 광변조기 중 어느 하나를 이용하여 형성된 것을 특징으로 급격한 턴온 특성을 갖는 레이저 다이오드
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1 항에 있어서,상기 급격 문턱 전류는 상기 동작 전류와 동일하거나 또는 상기 문턱 전류보다는 크되 상기 동작 전류보다 일정 전류만큼 작은 것을 특징으로 하는 급격한 턴온 특성을 갖는 레이저 다이오드
6 6
제5 항에 있어서,상기 일정 전류는 상기 동작 전류와 상기 문턱 전류의 차의 20 % 이하인 것을 특징으로 하는 급격한 턴온 특성을 갖는 레이저 다이오드
7 7
제1 항에 있어서,상기 레이저 다이오드는 상기 능동영역에 인가되는 전류를 통해 직접 변조하는 직접 변조 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 급격한 턴온 특성을 갖는 레이저 다이오드
8 8
제1 항에 있어서,상기 레이저 다이오드는 작은 전류 값의 변화를 통해 고속의 직접 변조가 가능한 것을 특징으로 하는 급격한 턴온 특성을 갖는 레이저 다이오드
9 9
제1 항에 있어서,상기 레이저 다이오드는 상기 흡수영역을 포함함으로써, 전류 변화에 의한 소광비(Extinction Ratio)가 증가된 것을 특징으로 하는 급격한 턴온 특성을 갖는 레이저 다이오드
10 10
제1 항에 있어서,상기 레이저 다이오드는 버스트 모드(burst mode) 신호 전송용 광원으로 이용되는 것을 특징으로 하는 급격한 턴온 특성을 갖는 레이저 다이오드
11 11
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12 12
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13 13
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14 14
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15 15
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16 16
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17 17
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1 US20100003035 US 미국 FAMILY
2 WO2008013388 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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