맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

반도체 소자의 활성층 제조 방법 및 그를 이용한 모스트랜지스터 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015095008
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 게르마늄(SiGe) 화합물을 이용한 반도체 소자의 활성층 제조 방법 및 그를 이용한 이종 구조의 모스(MOS) 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 산화 과정에서 실리콘 게르마늄(SiGe)과 산화물의 계면에 생성되는 고농도의 게르마늄(Ge) 편석층을 트랜지스터의 채널로 이용한다. 고농도의 게르마늄(Ge) 편석은 계면 전하 역할을 하여 운반자의 트랩(Trap) 역할을 하면서 소자의 특성을 저하시킨다고 보고되어 왔다. 그러나 본 발명은 후속 열처리를 통해 이러한 게르마늄(Ge) 편석을 표면부에 균일하게 분포시키므로써 운반자의 이동도를 향상시켜 소스와 드레인 간의 전류 유도능력이 향상되도록 한다.실리콘 게르마늄(SiGe), 활성층, 편석층, 실리콘 캡층, 열처리, 채널
Int. CL H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/1054(2013.01) H01L 29/1054(2013.01)
출원번호/일자 1020020024990 (2002.05.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0409435-0000 (2003.12.01)
공개번호/일자 10-2003-0086804 (2003.11.12) 문서열기
공고번호/일자 (20031218) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.05.07)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임정욱 대한민국 대전광역시유성구
2 송영주 대한민국 대전광역시유성구
3 심규환 대한민국 대전광역시유성구
4 강진영 대한민국 대전광역시유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2002-0139122-48
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.11.20 수리 (Accepted) 9-1-2003-0058960-47
5 등록결정서
Decision to grant		 2003.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0457569-94
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판 상에 실리콘 게르마늄층 및 실리콘층을 순차적으로 형성하는 단계,

상기 실리콘 게르마늄층의 상부에 게르마늄 편석층이 형성되도록 상기 실리콘층을 산화시키는 단계,

상기 게르마늄 편석층의 게르마늄 분포를 균일하게 하기 위해 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 활성층 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 게르마늄층 및 실리콘층은 다중 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 활성층 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 게르마늄층의 게르마늄 농도는 5 내지 20at%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 활성층 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 산화 공정 시 상기 실리콘층의 일부 두께만 산화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 활성층 제조 방법

5 5

제 1 항에 있어서, 상기 게르마늄 편석층의 두께는 상기 실리콘층의 두께, 산화 시간 및 온도에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 활성층 제조 방법

6 6

제 1 항에 있어서, 상기 게르마늄 편석층의 게르마늄 농도는 10 내지 100at%이며, 상기 실리콘층의 두께에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 활성층 제조 방법

7 7

제 1 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 형성된 활성층 상에 폴리실리콘층을 형성한 후 패터닝하여 게이트 전극을 형성하는 단계,

상기 게이트 전극 양측벽에 스페이서를 형성한 후 노출된 상기 실리콘 게르마늄층에 불순물 이온을 주입하여 소스 및 드레인을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모스 트랜지스터의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.