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반도체 광소자와 광섬유로 빔을 출사시키는 광 모드 크기 변환기가 집적된 봉우리형 집적화 반도체 광소자에 있어서, 상기 반도체 광소자로부터 상기 광 모드 크기 변환기쪽으로 상부 클래드층의 두께가 얇게 되는 계단식으로 구성되는 것을 특징으로 하는 봉우리형 집적화 반도체 광소자
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제1항에 있어서, 상기 반도체 광소자는 광원인 것을 특징으로 하는 봉우리형 집적화 반도체 광소자
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제1항에 있어서, 상기 광 모드 크기 변환기의 출력단과 상기 광소자와 인접한 부분의 상기 광 모드 크기 변환기 상의 상부 클래드층의 두께는 서로 다른 것을 특징으로 하는 봉우리형 집적화 반도체 광소자
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반도체 기판 상에 형성된 하부 클래드층; 상기 하부 클래드층 상에 형성된 수동 도파층; 상기 수동 도파층 상에 형성된 중간 클래드층; 상기 중간 클래드층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에서 빔의 출력단쪽으로 낮아지도록 다단의 계단 구조로 구성된 상부 클래드층 ; 및 상기 빔의 출력단쪽으로 상기 상부 클래드층의 다단의 계단 구조에 맞추어 테이퍼로 구성된 봉우리를 포함하고, 상기 제1단 부분은 광소자가 되고 상기 이후 다단부분은 광 모드 크기 변환기가 되는 것을 특징으로 하는 봉우리형 집적화 반도체 광소자
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제4항에 있어서, 상기 제1단 부분의 봉우리의 폭은 제1폭을 가지며, 제2단 부분의 봉우리는 상기 제1폭보다 작아지면서 급격한 경사의 제1 테이퍼로 구성되며, 이후 다단부분의 봉우리는 상기 제2단 부분의 제1 테이퍼보다 완만한 경사의 테이퍼로 구성되며, 최종단의 테이퍼의 끝단과 동일한 폭의 직선형으로 구성되는 것을 특징으로 하는 봉우리형 집적화 반도체 광소자
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제5항에 있어서, 상기 제1단 부분의 봉우리 폭은 활성층에 광구속이 용이하고, 높은 광출력을 위해 비교적 넓은 제1폭으로 구성하고, 상기 테이퍼되는 부분 사이의 봉우리 폭은 광소자 부분과 광모드크기 변환기 사이의 원활한 빔천이가 가능하고 산란손실을 최소화 되게 제1 폭보다 좁은 제2폭으로 구성하며, 상기 최종단의 직선 봉우리 폭은 수동 도파층에 광구속이 용이하기 위해 상기 제2폭보다 좁은 제3폭으로 구성되는 것을 특징으로 하는 봉우리형 집적화 반도체 광소자
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제4항에 있어서, 상기 다단부분의 상부 클래드층의 두께는 서로 다른 것을 특징으로 하는 봉우리형 집적화 반도체 광소자
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