반절연 GaAs 기판(1) 위에 포토레지스트막(2)을 도포하고, 그 위에서 불투명한 패턴(4)을 갖는 포토마스크(3)와 광학 스텝퍼를 이용하여 상기 포토레지스트막(2)을 일차 노광하고, 일차 노광된 상기기판(1)을 소정의 위치만큼 이동하여 상기 포토레지스트막(2)에서 노광되지 않은 영역이 미세하게 형성되도록 상기 포토레지스트막(2)을 재차 노광하는 공정(a,b)과; 상기 노광되지 않은 포토레지스트막(2)을 현상하여 제거함으로써 포토레지스막의 미세선폭(9)을 형성하는 공정(c)과; 상기 형성된 미세선폭을 갖는 포토레지스트막을 150℃이상의 온도로 열화시켜 열화된 포토레지스트막(10)을 형성하는 공정(d)과; 상기 열화된 포토레지스트막(10) 위에 상기 미세선폭보다 넓은 포토레지스트막의 패턴이 역상의 기울기를 갖도록 포토레지스트막(11)을 도포한 후 광학 스텝퍼와 포토마스크를 이용하여 노광 및 현상하는 공정(e)과; 상기 공정(e)후에 기판을 세척하고 금속(12, 13)을 증착하는 공정(f)과; 그리고 상기 금속이 증착된 기판을 포토레지스트 용매에 담가 포토레지스트막(11) 위의 금속(13)을 리프트-오프하고, 상기 열화된 포토레지스트막(10)을 산소플라즈마에 의한 건식식각방법으로 제거하여 T-형 게이트(12)를 형성하는 공정(g)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 이중 노광에 의한 T-형 게이트의 제조방법

제1항에 있어서, 상기 (d)공정은 상기 금속 증착이 용이하고 상기 포토레지스트막(11) 도포시 미세한 선폭이 손상되지 않도록 열화에 의해 상기 포토레지스트막(10)의 모서리 부분을 완만한 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 이중 노광에 의해 T-형 게이트의 제조방법