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갈륨비소 이종접합 트랜지스터을 제조하는 방법에 있어서, 반절연성 갈륨비소 기판(1) 위에 n+ 갈륨비소 에피층(2)과, n+ 갈륨비소 부콜렉터층(3)과, n 갈륨비소 콜렉터층(3)과, p+ 베이스층(4)과 n 알루미늄 갈륨비소 에미터층(5) 및 n+ 갈륨비소 캡층(6)을 차례대로 형성하는 단계와, 상기 n+ 갈륨비소 캡층(6)의 상면에 콜렉터 접촉영역의 형성을 위한 감광막 패턴(7)을 형성하는 단계와, 상기 감광막 패턴(7)을 마스크로서 이용하여 상기 n+ 갈륨비소 부콜렉터층(3)까지 식각하여 콜렉터 접촉영역(2a)을 형성하는 단계와, 상기 n+ 갈륨비소 캡층(6)의 상면에 감광막을 도포하여 감광막 패턴(7a)을 형성한 후, 이 감광막 패턴(7a)을 마스크로서 이용하여 상기 n+ 갈륨비소 캡층(6)과 상기 n 알루미늄 갈륨비소 에미터층(5)을 식각하여 베이스 접촉영역(4a)과 에미터 접촉영역(6a)을 형성하고 상기 감광막 패턴(7a)을 제거하는 단계와, 상기 콜렉터 접촉영역(2a)과 상기 베이스 접촉영역(4a) 및 상기 에미터 접촉영역(6a) 위헤 정상 온도에서 알루미늄비소 보호막(8)과 갈륨비소층(9)을 차례로 형성한 , 상기 절연성 갈륨비소층(9)의 표면에 감광막을 도포하고, 금속 배선용 마스크를 이용하여 부분적으로 상기 감광막을 제거함으로써 금속배선용 감광막 패턴(7b)을 형성하는 단계와, 상기 금속배선용 감광막 패턴(7b)을 이용하여 상기 절연성 갈륨비소층(9)과 상기 알루미늄 갈륨비소막(8)을 차례로 식각하여 부분적으로 식각한 후 상기 금속배선용 감광막 패턴(7b)을 제거하여 금속배선 패턴(8a)을 정의하고 금속배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 갈륨비소 이종접합 트랜지스터의 제조방법
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