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얕은접합반도체장치의제조방법

  • 기술번호 : KST2015095325
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 얕은 접합 형성용으로 추가증착된 규소층을 사용하여 유효접합깊이가 100nm이하인 얕은 접합의 소오스/드레인을 갖는 반도체장치를 제조하는 방법에 관한 것으로, 웨이퍼 전면에 얕은 접합 형성용 다결정 규소막(7)을 약 20-300nm정도 증착하고, 500-900℃정도의 온도에서 열처리하여 얕은 접합 형성용 다결정 규소막을 고상 에픽성장으로 결정화시키고 포토레지스터(8)을 웨이퍼 전면에 도포한 후, 식각하여, 소오드/드레인 영역의 레지스터(8-1)만 남기고 나머지는 모두 제거한 다음, 에치백 공정으로 추가증착 규소 중활성화 영역의 규소막(7-1)만 남기고 나머지는 모두 제거하며, 불순물을 소오스/드레인 영역에 이온주입하여 n+소오스/드레인 접합(9)을 형성한 다음, 급속 열처리나 전기로를 사용하여 고온 활성화하는 것이 특징이다.
Int. CL H01L 21/335 (2006.01)
CPC H01L 29/0847(2013.01) H01L 29/0847(2013.01) H01L 29/0847(2013.01)
출원번호/일자 1019920025020 (1992.12.22)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0110352-0000 (1997.01.09)
공개번호/일자 10-1994-0016466 (1994.07.23) 문서열기
공고번호/일자 1019960013624 (19961010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.22)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백종태 대한민국 대전직할시유성구
2 송윤호 대한민국 대전직할시대덕구
3 유종선 대한민국 대전직할시대덕구
4 남기수 대한민국 대전직할시중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135882-66
2 특허출원서
Patent Application		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135880-75
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135881-10
4 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135883-12
5 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135884-57
6 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135885-03
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135886-48
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1996.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045193-76
9 의견서
Written Opinion		 1996.05.20 수리 (Accepted) 1-1-1992-0135887-94
10 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1996.09.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045194-11
11 등록사정서
Decision to grant		 1996.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0045195-67
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

얕은 접합의 소오스/드레인을 갖는 반도체장치를 제조하는 방법에 있어서, 활성영역의 정의된 규소기판(1)상에 필드산화막(2), 게이트 산화막(4), 다결정 규소게이트(3), 사이드 월 스페이서(5) 및, 소오스/드레인 접합(6)을 형성하는 공정이 완료된 후, 웨이퍼 표면에 소정의 두께로 다결정 규소막(7)을 증착하고, 열처리하여 상기 다결정 규소막(7)을 결정화시키는 공정과, 포토레지스터(8)를 도포하고 소오스/드레인 영역의 포토레지스터(8-1)만 남기고 나머지를 모두 제거하고 에치백에 의해 상기 활성영역의 규소층(7-1)만 남기고 나머지를 제거하는 공정과, 상기 소오스/드레인 영역에 불순물을 고농도로 주입하여 소오스/드레인 접합(9)을 형성하고 열처리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 얕은 접합 반도체장치의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 다결정 규소막(7)의 두께는 20 내지 300nm이고, 상기 다결정 규소막(7)을 결정화시키기 위한 열처리 온도는 500 내지 900℃인 것을 특징으로 하는 얕은 접합 반도체장치의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.