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온도변화에따른반도체에너지갭측정장치및방법

  • 기술번호 : KST2015095412
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 에너치 갭 (energy gap. Eg)의 온도특성 측정장치 및 방법에 관한 것으로, 특히 반도제 시편을 저온으로 유지 시키기 위한 저온유지수단(100), 상기 저온유지수단 내의 반도체시편에 연속인 일정대역의 광을 투사하는 광투사수단(270), 상기 반도체 시편에 투사된 연속인 일정대역의 광이 반도체 시편의 온도에 따라 횹수 또는 투과되는 정도를 영상화하는 영상처리수단(300)을 구비하여 에너지 갭의 온도 특성 변화를 영상화함으로써 시각적으로 직접 화인되고 Eg의 온도계수를 증명하는 효과를 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/30(2013.01) H01L 22/30(2013.01)
출원번호/일자 1019930026134 (1993.12.01)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0124846-0000 (1997.09.30)
공개번호/일자 10-1995-0021302 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970010661 (19970630) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.01)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강성준 대한민국 대전직할시서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1993.12.01 수리 (Accepted) 1-1-1993-0132470-89
2 특허출원서
Patent Application
1993.12.01 수리 (Accepted) 1-1-1993-0132468-97
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1993.12.01 수리 (Accepted) 1-1-1993-0132469-32
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.14 수리 (Accepted) 1-1-1993-0132471-24
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1997.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0061049-19
6 등록사정서
Decision to grant
1997.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0061051-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

온도변화에 따른 반도체 에너지 갭 측정 장치에 있어서, 반도체 시편을 저온으로 유지시키기 위한 저온유지수단(100); 상기 저온유지수단 내의 반도체 시편에 연속인 일정대역의 광을 투사하는 쾅투사수단(200), 상기 반도체 시편에 투사된 연속인 일정대역의 광이 반도체 시편의 온도에 따라 흡수 또는 투과되는 정도를 영상화하는 영상처리수단(300)을 구비하는 것을 특징으로 하는 온도변화에 따른 반도체 에너지 갭 측정 장치

2 2

제1항에 있어서, 상기 광투사수단(200)은 단색광의 입력광원인 할로겐램프(1); 상기 할로겐램프에서 투사되는 빛을 모으는 집광렌즈(2); 및 상기 집광렌즈의 빛을 다색광화하는 다색광원(polychrometor, 3)을 구비하는 것을 특징으로 하는 온도변화에 따른 반도체 에너지 갭 측정장치

3 3

저온유지수단(100), 광투사수단(200), 영상처리수단(300)을 구비하여 에너지 갭의 온도 특성 변화를 영상화하는 장치에 적용되는 온도변화에 따른 반도체 에너지 갭 측정 방법에 있어서, 영상의 X축을 파장(λ)값으로 대응시킨 후, Xgap을 나타내는 적절한 픽셀값을 측정 프로그램에 설정하는 제1단계(21); 상기 제1단계 수행 후, 측정 시편으로 영상작업을 수행하는 제2단계(22); 상기 제2단계 수행 후, 화상 모니터(7)상의 영상을 프레임 메모리(8)에 기억시킨 후, 화상모니터상의 영상에서 X측을 따라 픽셀값을 주사하는 제3단계(23); 상기 제3단계 수행 후, 상기 주사한 픽셀값을 갭을 나타내는 Xgap와 비교하여 일치하지 않으면 단계 2내지 단계 4를 반복수행(단계4', 34)하는 제 4단계: 상기 제4단계 후, 일치하게 되면 그때의 X좌표를 상기 λ =f(X)의 알고리즘을 통해 λgap을 구한 후 이를

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