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기판 상에 부컬렉터층, 컬렉터층, 베이스층, 에미터층 및 에미터 캡층을 형성하는 단계;상기 에미터 캡층 상부에 에미터 전극을 형성하는 단계;상기 에미터 전극 하부에 형성된 상기 에미터 캡층과 상기 에미터 층을 식각하여 상기 베이스 층을 노출시키는 단계;상기 노출된 베이스 층 상에 베이스 전극을 형성하는 단계;상기 베이스 전극 하부에 형성된 상기 베이스층과 상기 컬렉터층을 식각하여 상기 부컬렉터층을 노출시키는 단계;상기 부컬렉터층 상에 컬렉터 전극을 형성하는 단계; 및상기 부컬렉터층을 식각하는 단계;상기 부컬렉터층이 식각된 상기 기판 전면에 절연층을 형성하는 단계;상기 에미터 전극, 베이스 전극 및 컬렉터 전극 및 기판의 상단이 노출되도록 상기 절연층을 전면적으로 이방성 식각하는 단계; 및일측부는 상기 노출된 기판 상에, 타측부는 상기 노출된 베이스 전극 상에 형성되며, 이들을 연결하는 베이스 연결선을 포함하는 베이스 패드를 형성하는 단계를 포함하는 이종 접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 에미터 캡층과 상기 에미터층을 식각하는 단계에서는, 상기 에미터 캡층과 상기 에미터 층을 습식 식각공정을 이용하여 식각하며, 상기 에미터 캡층을 식각한 후, 상기 에미터층을 식각하는 이종 접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 베이스층과 상기 컬렉터층을 식각하는 단계에서는, 상기 베이스층과 상기 컬렉터층을 습식 식각 공정을 이용하여 식각하며, 상기 베이스층을 식각한 후, 상기 컬렉터층을 식각하는 이종 접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 에미터 캡층 및 상기 베이스층은 인산:과산화수소:물로 이루어진 식각용액으로 식각하고, 상기 에미터층 및 상기 컬렉터층을 염산:인산으로 이루어진 식각 용액으로 식각하는 이종 접합 바이폴라 트랜지스터의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 절연층을 전면적으로 이방성 식각하는 단계는 이방성 식각이 가능한 RIE 장비를 이용하는 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 에미터 전극, 상기 베이스 전극 및 상기 컬렉터 전극을 형성하는 단계는 각각, 형상 반전 리소그라피 기술을 이용하여 감광막을 형성하는 단계,상기 감광막 상에 메탈층을 증착하는 단계, 및상기 메탈층을 증착한 다음 리프트 오프 공정을 이용하여 상기 감광막을 제거하는 단계를 포함하는 이종접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 에미터 전극, 상기 베이스 전극 및 상기 컬렉터 전극은 Ti/Pt/Au로 이루어진 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 베이스 패드를 형성하는 단계는형상 반전 리소그라피 기술을 이용하여 감광막을 형성하는 단계,상기 감광막 상에 상기 베이스 패드용 메탈층을 증착하는 단계, 및 상기 베이스 패드용 메탈층을 형성한 다음, 리프트 오프 공정을 이용하여 상기 감광막을 제거하여 상기 베이스 연결선을 포함하는 베이스 패드를 형성하는 단계를 포함하는 이종 접합 바이폴라 트랜지스터 제조방법
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