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반도체광스위치장치

  • 기술번호 : KST2015095972
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 반도체 광 스위칭 장치에 관한 것으로, 급격한 굴절율을 갖는 전반사면을 얻기위해 주입되는 신호전류들을 효과적으로 p형 클래드영역(8) 아래 집중시키기 위해 p형 전극(6)의 양측에 접지되는 n형 전극(5) 외에 공핍층(9) 형성을 위한 제2 및 제 3 의 n형 전극(7a,7b)을 형성하는 것이 특징으로, 이와같은 구조에 따르면 스위칭에 필요한 동작전류가 작고, 칩의 크기를 줄일 수 있으며, 스위칭 속도가 향상된다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 27/14609(2013.01) H01L 27/14609(2013.01)
출원번호/일자 1019920023359 (1992.12.04)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0091957-0000 (1995.11.22)
공개번호/일자 10-1994-0016971 (1994.07.25) 문서열기
공고번호/일자 1019950009632 (19950825) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1992.12.04)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박기성 대한민국 대전직할시중구
2 김홍만 대한민국 대전직할시중구
3 오대곤 대한민국 대전직할시동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
2 한국전기통신공사 대한민국 서울특별시종로구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126813-15
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1992.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126814-61
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126812-70
4 특허출원서
Patent Application		 1992.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126810-89
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1992.12.04 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126811-24
6 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126815-17
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.03.03 수리 (Accepted) 1-1-1992-0126816-52
8 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1995.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0041838-23
9 등록사정서
Decision to grant		 1995.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1992-0041839-79
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판(1)위에 형성되는 p형 광도파로층(2)과, 이 광도파로층(2)상에 순차로 형성되는 클래드층(3) 및 캡층(4)과, 상기 기판(1)아래와 상기 캡층(4)상에 각각 형성되는 제1전극(5) 및 p형전극(6)으로 이루어진 반도체 광 스위치에 있어서, 상기 캡층(4)상에 형성된 상기 제2전극(6)의 일측에 형성되고 상기 제1전극(5)과 동일한 형의 제3전극(7a)을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 광 스위치장치

2 2

제1항에 있어서, 상기 제2전극(6)의 또다른 일측에 형성되고 상기 제1 및 제3전극(5, 7a)과 동일한 형의 제4전극(7b)을 부가적으로 구비한 것을 특징으로하는 반도체 광 스위치장치

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광도파로층(2)은 마루(ridge)형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 광 스위치장치

4 4

제2항에 있어서, 상기 광도파로층(2)은 매립형 리브광도파로인 것을 특징으로하는 반도체 광 스위치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.