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굴절율 의사상변화 및 식각을 이용한 광소자의 파장가변 방법

기술번호 : KST2015096117
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	광소자의 파장 가변 방법이 제공된다. 이 방법은 기판 상에 코어 패턴을 형성하는 단계, 코어 패턴을 덮는 유전체층을 형성하는 단계, 및 유전체층을 열처리하여 유전체층의 굴절율을 증가시키는 단계를 포함하되, 유전체층은 실리콘 산질화막(SiON)이다.
Int. CL	G02B 6/028 (2006.01) G02B 6/13 (2006.01)
CPC
출원번호/일자	1020110136709 (2011.12.16)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2013-0069138 (2013.06.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	N
심사청구항수	16

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	박상기	대한민국	대전광역시 서구
2	김경옥	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.12.16	수리 (Accepted)	1-1-2011-1004241-86
2	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.05.07	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0362950-46
3	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2015.01.13	수리 (Accepted)	1-1-2015-0033890-81
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 코어 패턴 및 상기 코어 패턴을 덮는 유전체층을 포함하는 광소자를 형성하는 단계; 및상기 광소자를 열처리하여 상기 유전체층의 굴절율을 증가시키는 단계를 포함하되,상기 유전체층은 실리콘 산화질화막(SiON)인 광소자의 파장 가변 방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 유전체층의 굴절율을 증가시키는 단계는 상기 유전체층의 증착 온도에서 열처리하는 단계를 포함하는 광소자의 파장 가변 방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 유전체층의 굴절율을 증가시키는 단계는 상기 유전체층을 열처리하여 상기 유전체층 내에 포함된 산소 또는 질소를 부분적으로 승화시키는 단계를 포함하는 광소자의 파장 가변 방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 유전체층의 굴절율을 증가시키는 단계는 상기 광소자의 일부를 부분적으로 열처리하여 상기 유전체층의 특정 영역의 굴절율을 증가시키는 단계를 포함하는 광소자의 파장 가변 방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 코어 패턴은 실리콘(Si), 실리콘 질화막(Si3N4), 탄탈륨 산화막(Ta2O5), 하프늄 산화막(HfO2), 및 도핑된 실리콘 산화막(SiO2) 중 적어도 하나를 포함하는 광소자의 파장 가변 방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 광소자를 형성하는 단계는 증착 공정을 이용하여 상기 코어 패턴의 상면 또는 상기 코어 패턴의 상면 및 측면을 덮도록 상기 유전체층을 형성하는 단계를 포함하는 광소자의 파장 가변 방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 광소자를 형성하는 단계는 상기 기판 및 상기 코어 패턴 사이에 개재되는 하부 클래드층을 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 하부 클래드층은 실리콘 산화막(SiO2)인 광소자의 파장 가변 방법
8	8 제 1 항에 있어서,상기 광소자를 형성하는 단계는 상기 유전체층을 덮는 상부 클래드층을 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 상부 클래드층은 실리콘 산화막(SiO2) 또는 폴리머인 광소자의 파장 가변 방법
9	9 기판 상에 코어 패턴, 상기 코어 패턴을 덮는 유전체층, 및 상기 유전체층을 덮는 클래드층을 포함하는 광소자를 형성하는 단계; 및상기 클래드층의 전부 또는 일부를 식각하여 상기 클래드층의 굴절율을 감소시키는 단계를 포함하는 광소자의 파장 가변 방법
10	10 제 9 항에 있어서,상기 클래드층의 굴절율을 감소시키는 단계는 상기 유전체층이 노출되도록 상기 클래드층을 식각하는 단계를 포함하는 광소자의 파장 가변 방법
11	11 제 10 항에 있어서,상기 유전체층의 일부를 식각하여 상기 유전체층의 굴절률을 감소시키는 단계를 더 포함하는 광소자의 파장 가변 방법
12	12 제 9 항에 있어서,상기 코어 패턴은 실리콘(Si), 실리콘 질화막(Si3N4), 탄탈륨 산화막(Ta2O5), 하프늄 산화막(HfO2), 및 도핑된 실리콘 산화막(SiO2) 중 적어도 하나를 포함하는 광소자의 파장 가변 방법
13	13 제 9 항에 있어서,상기 유전체층은 실리콘 산화질화막(SiON)인 광소자의 파장 가변 방법
14	14 제 9 항에 있어서,상기 클래드층은 실리콘 산화막(SiO2) 또는 폴리머인 광소자의 파장 가변 방법
15	15 제 9 항에 있어서,상기 광소자를 형성하는 단계는 증착 공정을 이용하여 상기 코어 패턴의 상면 또는 상기 코어 패턴의 상면 및 측면을 덮도록 상기 유전체층을 형성하는 단계를 포함하는 광소자의 파장 가변 방법
16	16 제 9 항에 있어서,상기 광소자를 형성하는 단계는 상기 기판 및 상기 코어 패턴 사이에 개재되는 하부 클래드층을 형성하는 단계를 더 포함하되,상기 하부 클래드층은 실리콘 산화막(SiO2) 또는 폴리머인 광소자의 파장 가변 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US20130153533	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2013153533	US	미국	DOCDBFAMILY

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	지식경제부	한국전자통신연구원	정보통신산업원천기술개발사업	실리콘 나노포토닉스 기반 차세대 컴퓨터 칩기술

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.12.16	수리 (Accepted)	1-1-2011-1004241-86
2	[명세서등 보정]보정서	2012.05.07	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0362950-46
3	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2015.01.13	수리 (Accepted)	1-1-2015-0033890-81
4	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44


과제고유번호	1415115483
세부과제번호	10038764
연구과제명	실리콘 나노포토닉스기반 차세대 컴퓨터칩기술
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2011
연구기간	201103~201602
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	IT(정보기술)

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