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미세레지스트패턴의형성방법

  • 기술번호 : KST2015096180
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리소그래피(lithography)에 의한 레지스트 패턴을 형성방법에 관한 것으로서, 특히 이층 레지스트(bilayer resist) 구조를 이용하여 미세 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 관한 것이다.본 발명은 반도체 기판 위에 하층 레지스트를 형성하는 공정과, 상기 하층 레지스트를 갖는 반도체 기판을 전면 노광하는 공정과, 상기 전면 노광된 하층 레지스트 상부에 상층 레지스트를 형성하는 공정과, 소정 패턴을 갖는 마스크를 사용하여 상기 상층 레지스트를 노광하는 공정과, 상기 전면 노광된 하층 레지스트와 상기 마스크 패턴에 상응하여 부분적으로 노광된 상층 레지스트를 현상하여 높은 종횡비를 갖는 미세 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 미세 레지스트 패턴의 형성방법.
Int. CL G03F 7/20 (2006.01)
CPC G03F 7/0035(2013.01) G03F 7/0035(2013.01) G03F 7/0035(2013.01)
출원번호/일자 1019940025181 (1994.09.30)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1996-0011561 (1996.04.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.09.30)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최상수 대한민국 대전직할시유성구
2 오용호 대한민국 대전직할시중구
3 박병선 대한민국 대전직할시유성구
4 유형준 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1994.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114137-13
2 출원심사청구서
Request for Examination
1994.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114138-58
3 특허출원서
Patent Application
1994.09.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114136-67
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114139-04
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114140-40
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1997.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0064063-19
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
1997.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114141-96
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1997.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114142-31
9 의견서
Written Opinion
1997.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1994-0114143-87
10 거절사정서
Decision to Refuse a Patent
1998.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0064064-54
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 기판 위에 하층 레지스트를 형성하는 공정과; 상기 하층 레지스트를 갖는 반도체 기판을 전면 노광하는 공정; 상기 전면 노광된 하층 레지스트 상부에 상층 레지스트를 형성하는 공정; 소정 패턴을 갖는 마스크를 사용하여 상기 상층 레지스트를 노광하는 공정; 및 상기 전면 노광된 하층 레지스트와 상기 마스크 패턴에 상응하여 부분적으로 노광된 상층 레지스트를 현상하여 높은 종횡비를 갖는 미세 레지스트 패턴을 형성하는 공정으로 이루어진 이층 레지스트 구조를 이용한 미세 레지스트 패턴의 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 노광 소스(exposure source)로서 i-line, g-line, KrF 레이저, ArF 레이저 또는 e-beam을 사용하는 것을 특징으로 하는 미세 레지스트 패턴의 형성방법

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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.