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전계 흡수형 광변조기의 입출력 면에 고반사 박막을 형성하여 짧은 흡수층의 길이로 충분한 소광비를 얻을 수 있게 하여 소자의 정전용량을 최소화 하고 따라서 초고속 변조가 가능하게 하는 것을 특징으로 하는 전계 흡수형 광변조기
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제1항에 있어서, 상기 흡수층의 길이는 10㎛∼20㎛인 것을 특징으로 하는 전계 흡수형 광변조기
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제1항에 있어서, 상기 고반사 박막은 이산화 규소(SiO2)와 규소(Si)를 입사광의 1/4 파장 두께로 2쌍 적층하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계 흡수형 광변조기
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제1항에 있어서, 상기 고반사 박막은 80% 정도의 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 전계 흡수형 광변조기
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전계 흡수형 광변조기 제조 방법에 있어서, 반응성 이온빔 식각을 사용하여 광변조기 흡수층을 형성하며, 광변조기 입출력단 면에 이산화 규소(SiO2)와 규소(Si)를 입사광의 1/4 파장 두께로 2쌍 적층하여 이루어진 고반사 박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계 흡수형 광변조기 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 흡수층은 10㎛∼20㎛ 길이로 형성되고, 상기 고반사 박막은 80% 정도의 반사율을 갖는 것을 특징으로 하는 전계 흡수형 광변조기 제조 방법
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