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기판상에 형성되고 상호 반대 방향의 제1 면 및 제2 면을 가지고 실리콘 나노점으로 이루어지는 활성층과, 상기 활성층의 제1 면에 대향하고 있는 제1 반사부과, 상기 활성층의 제2 면에 대향하고 있는 제2 반사부과, 상기 활성층과 제1 반사부와의 사이에 개재되어 있는 제1 도핑층과, 상기 활성층과 제2 반사부와의 사이에 개재되어 있는 제2 도핑층과, 상기 제1 도핑층에 전기적으로 연결 가능한 제1 전극과, 상기 제2 도핑층에 전기적으로 연결 가능한 제2 전극을 포함하고, 상기 제1 반사부는 서로 다른 조성을 가지는 2종의 실리콘함유 절연층이 교대로 적층되어 있는 절연체인 제1 DBR(Distributed Bragg Reflector)과, 상기 제1 도핑층과 상기 제1 전극과의 사이를 전기적으로 연결시키기 위하여 상기 제1 DBR을 관통하여 형성된 제1 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 반사부는 서로 다른 조성을 가지는 2종의 실리콘함유 절연층이 교대로 적층되어 있는 절연체인 제2 DBR과, 상기 제2 도핑층과 상기 제2 전극과의 사이를 전기적으로 연결시키기 위하여 상기 제2 DBR을 관통하여 형성된 제2 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광 소자
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제2항에 있어서, 상기 제1 게이트 및 제2 게이트는 각각 1 ∼ 500 ㎛의 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 활성층은 결정질 실리콘 나노점(silicon nano-size dots)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 활성층은 비정질 실리콘 나노점으로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 활성층은 150 ㎛ ∼ 30 ㎚의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 제2 반사부는 전반사 금속막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광 소자
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제8항에 있어서, 상기 전반사 금속막은 상기 기판에 접해 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광 소자
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제1항에 있어서, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 각각 100 ㎛ ∼ 5 mm의 두께를 가지는 금속막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광 소자
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제2항에 있어서, 상기 제1 DBR 및 제2 DBR을 각각 구성하는 상기 2종의 실리콘함유 절연층은 제1 절연층 및 제2 절연층으로 구성되고, 상기 제1 절연층과 제2 절연층과의 사이의 굴절율 차이는 0
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제11항에 있어서, 상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 각각 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 또는 이들의 복합막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광 소자
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제12항에 있어서, 상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 각각 서로 다른 조성을 가지는 제1 실리콘 산화막 및 제2 실리콘 산화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광 소자
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제12항에 있어서, 상기 제1 절연층 및 제2 절연층은 각각 서로 다른 조성을 가지는 제1 실리콘 질화막 및 제2 실리콘 질화막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광 소자
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제12항에 있어서, 상기 DBR은 상기 제1 절연층 및 제2 절연층의 적층 구조를 2 ∼ 20 쌍 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광 소자
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제12항에 있어서, 상기 DBR은 상기 제1 절연층 및 제2 절연층의 적층 구조를 2 ∼ 20 쌍 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 발광 소자
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