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순차측면고상화 방법으로 결정화된 폴리실리콘층의 평탄화 방법에 있어서, 기판 상에 소정 두께로 형성된 비정질 실리콘층을 폴리실리콘층으로 순차측면고상화 방법을 이용하여 결정화하는 단계; 및 폴리실리콘층을 부분용융에서 완전용융으로 전환되는 에너지 밀도를 가지는 레이저를 이용하여 상기 폴리실리콘층을 평탄화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 순차측면고상화 폴리실리콘층의 평탄화 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘층의 두께에 따른 표면 평탄화 에너지 밀도는 하기 표와 같이 구성된 것을 특징으로 하는 폴리실리콘층의 평탄화 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 폴리실리콘층을 평탄화는 마스크를 사용하여 폴리실리콘의 일부 영역만 레이저를 조사하여 형성하는 것을 특징으로 하는 순차측면고상화 폴리실리콘층의 평탄화 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 폴리실리콘층을 n-셔트 결정화 방법으로 결정화하는 경우, 결졍화용 마스크와 동일한 L/S를 갖는 마스크로 평탄화를 수행하는 것을 특징으로 하는 순차측면고상화 폴리실리콘층의 평탄화 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 L/S=2/4인 결정화용 마스크를 사용하여 n-셔트 공정으로 SLS 결정화된 경우, 상기 평탄화용 마스크는 L/S=2/4를 사용하는 것을 특징으로 하는 순차측면고상화 폴리실리콘층 평탄화 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 폴리실리콘층을 2-셔트 결정화 방법으로 결정화하는 경우, 평탄화용 마스크는 결정화용 마스크(L/S)의 L과 S를 반대 비율 사이즈로 2-셔트로 이용하거나, 결정화용 마스크(L/S)의 L과 S를 동일한 크기로 (L+S)/4 사이즈로 1-셔트로 이용하여 평탄화 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 순차측면고상화 폴리실리콘층 평탄화 방법
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제 6 항에 있어서, L/S=3/2인 결정화용 마스크로 2-셔트 결정화된 경우, 1
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제 6 항에 있어서, L/S=3/2인 결정화용 마스크로 2-셔트 결정화된 경우 2/3인 평탄화용 마스크를 이용하여 2회 레이저 조사로 평탄화하거나, L/S=3/2
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제 6 항에 있어서, L/S=3/2인 결정화용 마스크로 2-셔트 결정화된 경우 2/3인 평탄화용 마스크를 이용하여 2회 레이저 조사로 평탄화하거나, L/S=3/2
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