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GaN 트랜지스터에 있어서,소오스, 드레인 및 게이트의 본딩 패드 가장자리에 형성된 오믹 금속층;오믹 금속층이 형성된 본딩 패드 전체에 형성된 1차 금속층;상기 1차 금속층 상에 형성된 금도금층;을 포함하는 본딩 패드 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 오믹 금속층은 본딩 패드 전체 면적의 10 내지 50%의 해당하는 만큼의 각각의 본딩 패드 가장자리에 위치되는 것을 특징으로 하는 GaN 트랜지스터
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제1항에 있어서,상기 오믹 금속층은 티타늄층, 알루미늄층, 니켈층 및 금층이 차례로 적층된 금속 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 GaN 트랜지스터
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GaN 트랜지스터의 제조방법에 있어서,소오스, 드레인 및 게이트의 본딩 패드 가장자리에 오믹 금속층을 형성하고, 열처리하는 단계;오믹 금속층이 형성된 본딩 패드 전체에 1차 금속층을 형성하는 단계; 및상기 1차 금속층 상에 금도금층 형성하는 단계;를 포함하는 본딩 패드 형성 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 트랜지스터의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 오믹 금속층은 본딩 패드 전체 면적의 10 내지 50%의 해당하는 만큼의 각각의 본딩 패드 가장자리에서 형성되는 것을 특징으로 하는 GaN 트랜지스터의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 오믹 금속층은 티타늄/알루미늄/니켈/금의 금속 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 GaN 트랜지스터의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 열처리는 900 내지 950℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 GaN 트랜지스터의 제조방법
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