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장파장용광스윗치구현을위한INP계다중양자우물구조의최적화방법

  • 기술번호 : KST2015097277
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광섬유를 이용한 장거리 통신에 쓰일 수 있는 장파장용 광스윗치 소자를 구현하는 방법에 있어서 다중 양자우물의 물질로 InGaAsP/InP 혼성구조의 구성 성분비 및 구조를 조정하여 광섬유에서 손실 최소치를 갖는 파장영역에서 작동하며 광 출력 강도비 및 광흡수 최대치를 극대화하는 최적화된 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 33/00 (2006.01) H01S 3/18 (2006.01)
CPC H01L 33/30(2013.01) H01L 33/30(2013.01)
출원번호/일자 1019930029620 (1993.12.24)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0119217-0000 (1997.07.30)
공개번호/일자 10-1995-0021818 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970006615 (19970429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.24)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심숙이 대한민국 대전직할시유성구
2 최영완 대한민국 서울특별시송파구
3 권오균 대한민국 대전직할시대덕구
4 이일항 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1993.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148322-59
2 특허출원서
Patent Application
1993.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148321-14
3 출원심사청구서
Request for Examination
1993.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148323-05
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1994.02.23 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148324-40
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148325-96
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1997.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0070899-12
7 등록사정서
Decision to grant
1997.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0070900-71
8 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.07.29 수리 (Accepted) 1-1-1993-0148326-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

광섬유를 이용한 장거리 통신에 쓰일 수 있는 장파장용 광 스윗칭 소자의 구현방법에 있어서, InGaAs/InP 혼성구조의 구성 성분비 및 구조를 조정하여 광섬유의 손실 최소치를 주는 영역인 1

2 2

제1항에 있어서, InP 사중 혼성물질의 최적화된 구조를 찾아내기 위해 변수(Υ)를 이용하여 전장이 걸리지 않았을 때의 헤비 호울 여기자에 의한 광흡수 최대치의 극대화된 값을 얻는 것을 특징으로 하는 장파장용 광스윗치 구현을 위한 InP계 다중양자우물 구조의 최적화방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP07294968 JP 일본 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 JP7294968 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH07294968 JP 일본 DOCDBFAMILY
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