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소자 내의 픽셀을 격리 시키는 절연층; 및상기 절연층의 상부에 형성되어 수광 영역의 면적을 최대화 시키는 감쇠 저항을 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어
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제1항에 있어서,상기 소자의 상부 패드와 상기 감쇠 저항을 연결하는 금속 전극을 더 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어
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제2항에 있어서,상기 금속 전극은,상기 감쇠 저항과 상기 수광 영역의 상부 도핑층을 연결하는 실리콘 포토멀티플라이어
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제2항에 있어서,상기 절연층을 통과하여 상기 금속 전극, 상기 수광 영역 및 상기 감쇠 저항을 서로 전기적으로 연결하는 전극 접촉부를 더 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어
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제1항에 있어서,기판; 및상기 기판의 상부와 상기 절연층의 중간에 형성되는 중간층을 더 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어
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6
제5항에 있어서,상기 중간층의 상부에 형성되는 접합 도핑층; 및상기 접합 도핑층의 상부에 형성되는 상부 도핑층을 더 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어
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7
제5항에 있어서,상기 기판 및 상기 중간층은,에피택시(epitaxy) 공정을 이용하여 형성되는 실리콘 포토멀티플라이어
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제6항에 있어서,상기 상부 도핑층 및 상기 접합 도핑층은,이온 주입 공정을 이용하여 형성되는 실리콘 포토멀티플라이어
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9
제6항에 있어서,상기 중간층과 상기 절연층 사이에 형성되어, 상기 상부 도핑층의 가장 자리에서 발생하는 조기 항복(premature breakdown) 현상을 방지하는 가이드 링을 더 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어
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10
제6항에 있어서,상기 기판, 상기 중간층, 상기 접합 도핑층, 및 상기 상부 도핑층은,실리콘 내의 도핑 타입 및 농도로 서로 구별되며, 수직 방향의 다이오드 구조로 형성되는 실리콘 포토멀티플라이어
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소자 내의 픽셀을 격리 시키는 절연층을 형성하는 단계; 및수광 영역의 면적을 최대화 시키는 감쇠 저항을 상기 절연층의 상부에 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 소자의 상부 패드와 상기 감쇠 저항을 연결하는 금속 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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13
제12항에 있어서,상기 금속 전극은,상기 감쇠 저항과 상기 수광 영역의 상부 도핑층을 연결하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 절연층을 통과하여 상기 금속 전극, 상기 수광 영역 및 상기 감쇠 저항을 서로 전기적으로 연결하는 전극 접촉부을 형성하는 단계를 더 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제11항에 있어서,기판을 형성하는 단계; 및상기 기판의 상부와 상기 절연층의 중간에 중간층을 형성하는 단계을 더 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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16
제15항에 있어서,상기 중간층의 상부에 접합 도핑층을 형성하는 단계; 및상기 접합 도핑층의 상부에 상부 도핑층을 형성하는 단계을 더 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 기판 및 상기 중간층은,에피택시(epitaxy) 공정을 이용하여 형성되는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 상부 도핑층 및 상기 접합 도핑층은,이온 주입 공정을 이용하여 형성되는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 중간층과 상기 절연층 사이에 가이드 링을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 가이드 링은 상기 상부 도핑층의 가장 자리에서 발생하는 조기 항복(premature breakdown) 현상을 방지하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 기판, 상기 중간층, 상기 접합 도핑층, 및 상기 상부 도핑층은,실리콘 내의 도핑 타입 및 농도로 서로 구별되며, 수직 방향의 다이오드 구조로 형성되는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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