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기판;상기 기판 상에서 회절격자를 갖는 하부 클래드 층;상기 하부 클래드 층 상에 배치된 활성 층;상기 활성 층 상에 배치된 제 1 상부 클래드 층; 상기 제 1 상부 클래드 층 상에 제 1 방향으로 연장된 위상 이동 영역; 및상기 위상 이동 영역 상에서 상기 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 연장된 리지 도파로 층을 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 위상 이동 영역 및 상기 리지 도파로 층 아래, 상기 제 1 상부 클래드 층 상에 배치된 제 1 식각중단층을 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 2 항에 있어서,상기 위상 이동 영역은, 상기 제 1 식각중단층과 상기 리지 도파로 층 사이에 배치된 제 2 상부 클래드 층; 및상기 제 2 상부 클래드 층과 상기 리지 도파로 층 사이에 배치된 제 2 식각중단층을 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 3 항에 있어서,상기 제 1 상부 클래드 층, 제 2 상부 클래드 층 및 리지 도파로 층은, 인듐인, 알루미늄갈륨아세나이드, 또는 인듐갈륨인 중 적어도 하나를 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 3 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 식각중단층들은 인듐갈륨아세나이드를 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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6
제 1 항에 있어서,상기 활성 층과 상기 제 1 상부 클래드 층 사이에 배치된 제 1 광가둠 층을 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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7
제 6 항에 있어서,상기 제 1 상부 클래드 층과 상기 리지 도파로 층 사이에 배치된 제 1 식각중단층을 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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8
제 7 항에 있어서,상기 위상 이동 영역은 상기 제 1 상부 클래드 층과 상기 제 1 식각중단층 사이에 배치된 제 2 광가둠 층을 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 8 항에 있어서,상기 제 2 광가둠 층은 인듐갈륨아세나이드인 또는 알루미늄갈륨아세나이드를 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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10
제 8 항에 있어서,상기 제 1 상부 클래드 층 및 상기 제 2 광가둠 층 상부와 상기 제 1 식각중단층 아래에 배치된 배치된 제 2 상부 클래드 층을 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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11
제 1 항에 있어서,상기 리지 도파로 층은 역 메사 구조를 갖는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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12
제 1 항에 있어서,상기 활성 층은 다중양자우물 구조를 갖는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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13
제 1 항에 있어서,상기 리지 도파로 및 상기 위상 이동 영역을 둘러싸는 평탄 층을 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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14
제 13 항에 있어서,상기 평탄 층은 폴리이미드 또는 벤조사이클로 부탄을 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제 1 항에 있어서,상기 리지 도파로 층 상에 상기 제 1 방향으로 배치된 전극을 더 포함하는 분포 궤환형 레이저 다이오드
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