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멤스 마이크로폰 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015098583
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 멤스(MEMS) 마이크로폰에 관한 것으로, 기판(200); 상기 기판(200)의 상단에 형성되는 후방 음향 챔버(313); 상기 후방 음향 챔버(313)의 상단에 형성되는 하부 전극(307); 상기 하부 전극(307)의 상단에 형성되는 진동판(211); 상기 후방 음향 챔버(307)의 외주면에 형성되는 전극판 기둥(311); 상기 하부 전극(307)을 지지하고 상기 전극판 기둥(311)에 결합되는 하부 전극판 지지대(201); 및 상기 진동판(211)을 지지하고 상기 전극판 기둥(311)에 결합되는 진동판 지지대(209)를 포함하는 멤스(MEMS) 마이크로폰 및 그 제조 방법을 제공한다. 이러한 본 발명을 이용하면, 기존 멤스 마이크로폰 제작시 꼭 필요했던 기판 뒷면 공정을 생략할 수 있어 간단하게 멤스 마이크로폰을 제작할 수 있으므로 생산성을 크게 개선시킬 수 있고, 멤스 마이크로폰의 신호처리회로 상에 제작 가능하므로 필요면적을 크게 줄일 수 있어 동일한 면적에 다양한 기능을 접목시킬 수 있는 특징을 가진다. 멤스 마이크로폰, 표면 미세기계가공, 콘덴서 마이크로폰, 진동판 스프링
Int. CL H04R 31/00 (2006.01) H04R 19/04 (2006.01)
CPC H04R 19/005(2013.01) H04R 19/005(2013.01) H04R 19/005(2013.01) H04R 19/005(2013.01)
출원번호/일자 1020080042138 (2008.05.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0977826-0000 (2010.08.18)
공개번호/일자 10-2009-0054885 (2009.06.01) 문서열기
공고번호/일자 (20100827) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070121662   |   2007.11.27
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.07)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이재우 대한민국 대전 유성구
2 김혜진 대한민국 대전 유성구
3 이상균 대한민국 광주시 광산구
4 이성규 대한민국 대전 유성구
5 박강호 대한민국 대전 유성구
6 김종대 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0323821-89
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2008-0324009-00
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.03.18 수리 (Accepted) 9-1-2010-0017053-98
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0122549-55
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0329882-41
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0329912-23
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0350956-61
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판(200); 상기 기판(200)의 상단에 형성되는 후방 음향 챔버(313); 상기 후방 음향 챔버(313)의 상단에 형성되는 하부 전극(307); 상기 하부 전극(307)의 상단에 형성되는 진동판(211); 상기 후방 음향 챔버(307)의 외주면에 형성되는 전극판 기둥(311); 상기 하부 전극(307)을 지지하고 상기 전극판 기둥(311)에 결합되는 하부 전극판 지지대(201); 및 상기 진동판(211)을 지지하고 상기 전극판 기둥(311)에 결합되는 진동판 지지대(209) 를 포함하는 멤스(MEMS) 마이크로폰
2 2
제1항에 있어서, 상기 진동판(211)은 상부 전극(301) 및 절연막(303)을 포함하는 것 을 특징으로 하는 멤스 마이크로폰
3 3
제1항에 있어서, 상기 하부 전극(307)은 상기 하부 전극(307)을 지지하고 하부 전극 기둥(315)에 결합되는 하부 전극 지지대(205)를 더 포함하는 것 을 특징으로 하는 멤스 마이크로폰
4 4
제1항에 있어서, 상기 후방 음향 챔버(313) 및 상기 하부 전극(307)의 사이에 형성되는 하부 전극 갭(309) 을 더 포함하는 멤스 마이크로폰
5 5
제1항에 있어서, 상기 하부 전극(307) 및 상기 진동판(211) 사이에 형성되는 상부 전극 갭(305) 및 상기 하부 전극(307)의 내부에 상기 상부 전극 갭(305)을 형성하기 위한 하부 전극 홀(207) 을 더 포함하는 멤스 마이크로폰
6 6
제1항에 있어서, 상기 진동판(211)은 상기 진동판(211)의 외주면에 형성되는 진동판 스프링(203) 을 더 포함하는 멤스 마이크로폰
7 7
제6항에 있어서, 상기 진동판 스프링(203)은 상기 진동판(211)의 외주면을 따라 굴곡을 가지는 형태인 것을 특징으로 하는 멤스 마이크로폰
8 8
기판(200)의 상단에 하부 전극 희생층(401)을 형성하는 단계; 상기 하부 전극 희생층(401)의 상단에 하부 전극(307) 및 하부 전극판 지지대(201)를 형성하는 단계; 상기 형성된 하부 전극(307)에 소정의 하부 전극 홀(207)을 형성하는 단계; 상기 하부 전극(307)의 상단에 상부 전극 희생층(403)을 형성하는 단계; 상기 형성된 상부 전극 희생층(403)의 상단에 절연막(303) 및 상부 전극(301)으로 구성되는 진동판(211) 및 진동판 지지대(209)를 형성하는 단계; 상기 하부 전극 희생층(401) 및 상기 상부 전극 희생층(403)을 식각하여 하부 전극 갭(309) 및 상부 전극 갭(305)을 형성하는 단계 및 상기 형성된 하부 전극 갭(309)의 하단에 존재하는 상기 기판(200)을 소정의 깊이로 식각하여 후방 음향 챔버(313)를 형성하는 단계 를 포함하는 멤스 마이크로폰 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 하부 전극(307)을 형성하는 단계는 상기 하부 전극(307)을 지지하기 위한 하부 전극 지지대(205)를 형성하는 단계 를 더 포함하는 멤스 마이크로폰 제조 방법
10 10
제8항에 있어서, 상기 진동판(211)을 형성하는 단계는 상기 진동판(211)의 스프링 상수를 조절하기 위한 진동판 스프링(203)을 형성하는 단계 를 더 포함하는 멤스 마이크로폰 제조 방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 후방 음향 챔버(313)를 형성하는 단계는 상기 하부 전극 갭(309)을 이용하여 습식 식각하는 것 을 특징으로 하는 멤스 마이크로폰 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 단말용 부품 모듈