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기판 상부에 굴절율이 다른 두 박막이 교대로 성장된 하부거울층; 상기 하부거울층 상부에 위치하여 전류 및 열방출의 경로가 되는 열방출층; 상기 열방출층 상부에 위치하여 공진하는 레이저빔이 광이득을 얻는 활성층; 상기 활성층 상부에 위치하며 양 측면에 공기층 구경을 갖는 구경형성층; 상기 구경형성층 상부에 굴절율이 다른 두 박막이 교대로 성장된 상부거울층; 상기 상부거울층, 구경형성층 및 활성층의 측면과 상기 열방출층의 상부에 위치하는 절연층; 및 상기 상부거울층의 상부에 위치하는 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 공기층 구경을 갖는 수직공진 표면방출레이저 구조
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제1 항에 있어서, 상기 구경형성층의 공기층 구경은 양측면으로부터 5㎛ 이내의 깊이인 것을 특징으로 하는 공기층 구경을 갖는 수직공진 표면방출레이저 구조
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제1 항에 있어서, 상기 구경형성층의 두께는 200~800Å 인 것을 특징으로 하는 공기층 구경을 갖는 수직공진 표면방출레이저 구조
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제1 항에 있어서, 상기 전극의 두께는 5000Å 이상인 것을 특징으로 하는 공기층 구경을 갖는 수직공진 표면방출레이저 구조
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제1 항에 있어서, 상기 절연층의 두께는 1000~4000Å 인 것을 특징으로 하는 공기층 구경을 갖는 수직공진 표면방출레이저 구조
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(a) 반도체 기판 위에 하부거울층, 열방출층, 활성층, 구경형성층 및 상부거울층을 순차적으로 증착하는 단계; (b) 소자가 형성되는 영역을 정의하는 마스크 층을 형성하는 단계; (c) 상기 마스크층 이외의 영역을 상기 활성층 중간 깊이까지 식각하여 제거함으로써 메사 구조를 형성하는 단계; (d) 상기 구경형성층을 양측면에서부터 중앙으로 선택적 습식식각에 의해 소정 깊이로 제거하여 공기층 구경을 형성하는 단계; (e) 상기 마스크층을 이용하여 상기 활성층을 식각함으로써 상기 열방출층을 표면에 노출시키는 단계; (f) 상기 마스크층을 제거한 후, 상기 메사 구조 측면에 절연층을 증착하는 단계; 및 (g) 상기 상부거울층 상부에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 공기층 구경을 갖는 수직공진 표면방출레이저의 제조방법
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제6 항에 있어서, 상기 (d) 단계는, 상기 구경형성층의 재료가 InP 이고, 상기 상부거울층 및 활성층의 재료가 InAlGaAs 계열인 경우, 염산/물(HCl/H2O)의 혼합용액을 이용하여 선택적 습식식각을 수행하는 것을 특징으로 하는 공기층 구경을 갖는 수직공진 표면방출레이저의 제조방법
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제6 항에 있어서, 상기 (d) 단계는, 상기 구경형성층의 재료가 InP 이고, 상기 상부거울층 및 활성층의 재료가 InAlGaAs 계열인 경우, 염산/물(HCl/H2O)의 혼합용액을 이용하여 선택적 습식식각을 수행하는 것을 특징으로 하는 공기층 구경을 갖는 수직공진 표면방출레이저의 제조방법
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