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평면형 광도파로 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015099641
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 평면형 광도파로 제작 방법에 관한 것으로, 평면 기판 상에 완충층 및 마스크층을 순차적으로 형성하는 단계와, 마스크층 상에 포토레지스트를 도포하고, 소정의 마스크를 사용한 포토리쏘그라피 및 디벨로핑 공정을 진행하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 하부의 노출된 마스크층을 패터닝한 후 잔류된 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와, 패터닝된 마스크층을 식각 마스크로 이용하여 하부의 노출된 완충층을 소정 두께 식각한 후 잔류된 마스크층을 제거하는 단계와, 완충층 상에 코아층을 형성하는 단계로 이루어져 광도파로 제작시 생산성 향상은 물론 생산비의 절감 효과를 도모할 수 있다.평면형 광도파로, 완충층, 코아층, 마스크층, 공정 단계
Int. CL G02B 6/13 (2006.01)
CPC G02B 6/136(2013.01) G02B 6/136(2013.01) G02B 6/136(2013.01)
출원번호/일자 1020010086831 (2001.12.28)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2003-0056569 (2003.07.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2001.12.28)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유정희 대한민국 광주광역시북구
2 오행석 대한민국 대전광역시서구
3 이상균 대한민국 광주광역시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2001.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2001-0351458-56
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2003.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2003.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2003-0040952-16
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2003.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0382966-70
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2003.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2003-0502577-05
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

평면 기판 상에 완충층 및 마스크층을 순차적으로 형성하는 단계와,

상기 마스크층 상에 포토레지스트를 도포하고, 소정의 마스크를 사용한 포토리쏘그라피 및 디벨로핑 공정을 진행하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와,

상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 하부의 노출된 마스크층을 패터닝한 후 잔류된 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계와,

상기 패터닝된 마스크층을 식각 마스크로 이용하여 하부의 노출된 완충층을 소정 두께 식각하여 식각된 부분에 도파로가 형성되도록 한 후 잔류된 마스크층을 제거하는 단계와,

상기 완충층 상에 코아층을 증착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 평면형 광 도파로 제작 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 완충층은 40 내지 80㎛의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 평면형 광 도파로 제작 방법

3 3

제 1 항에 있어서,

상기 완충층은 20 내지 40㎛의 두께로 식각되는 것을 특징으로 하는 평면형 광 도파로 제작 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.