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제1 투명 산화물층;상기 제1 투명 산화물층 상에 형성된 제2 투명 산화물층; 및상기 제1 투명 산화물층 및 상기 제2 투명 산화물층 사이에 형성되며, 적어도 2종류의 금속을 포함하는 금속층을 포함하는 투명전극
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제 1 항에 있어서,상기 제1 투명 산화물층 및 상기 제2 투명 산화물층은 아연 산화물 또는 주석 산화물을 포함하는 투명전극
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제 1 항에 있어서,상기 금속층은 알루미늄과 은을 포함하는 투명전극
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제 1 항에 있어서,상기 금속층은 제1 알루미늄층, 상기 제1 알루미늄층 상에 형성된 은층 및 상기 은층 상에 형성된 제2 알루미늄층을 포함하는 3중층 구조로 형성된 투명전극
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제 1 항에 있어서,상기 금속층은 알루미늄과 은의 합성물을 포함하는 투명전극
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제 5 항에 있어서,상기 합성물은 상기 알루미늄을 12 내지 30 at
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제1 투명 산화물층을 형성하는 단계;적어도 2종류의 금속을 스퍼터링하여 상기 제1 투명 산화물층 상에 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층 상에 제2 투명 산화물층을 형성하는 단계를 포함하는 투명전극 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 금속층을 형성하는 단계는알루미늄과 은을 동시에 스퍼터링하여 상기 알루미늄과 상기 은의 합성물을 형성하는 단계를 포함하는 투명전극 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 합성물을 형성하는 단계는1 내지 15%의 질소 또는 산소를 포함하는 아르곤 가스 분위기에서 스퍼터링 방식으로 실시되는 투명전극 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 금속층을 형성하는 단계는상기 제1 알루미늄층을 형성하는 단계;상기 제1 알루미늄층 상에 은층을 형성하는 단계; 및상기 은층 상에 제2 알루미늄층을 형성하는 단계를 포함하는 투명전극 제조방법
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