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제1도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 화합물 반도체 기판 상의 소정 부분에 높은 인덱스 면을 갖는 V홈을 소정 방향으로 길게 형성하는 공정과, 상기 반도체 기판 상에 제2도전형의 제1클래드층, 불순물이 도핑되지 않은 제1스페이서층, 불순물이 도핑되지 않은 제1그레이디드인덱스층(GRIN), 불순물이 도핑되지 않은 활성층, 불순물이 도핑되지 않은 제2그레이디드인덱스층(GRIN), 불순물이 도핑되지 않은 제2스페이서층, 제2도전형의 제2클래드층 및제2도전형의 불순물이 고농도로 도핑된 캡층을 순차적으로 형성하되 InGaAs로 이루어진 상기 제1 및 제2 그레이디드인덱스층(GRIN) 형성시 그 성장 온도를 연속적으로 변화시켜 상기 제1 및 제2그레이디드인덱스층(GRIN)들의 In 조성비가 포물선형으로 변화되도록 형성하는 공정과, 상기 캡층 상부의 V홈과 대응하는 부분에 제2도전형의 오믹 전극과 상기 반도체 기판의 하부 표면에 제1도전형의 오믹 전극을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 V홈은 1차 식각에 의해 (111)면을 갖도록 하고, 2차 식각에 의해 (311)면 또는 (322)면에 가까운 높은 인덱스 면을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1클래드층은 Si를 1×1017㎝-3~5×1017㎝-3로 도핑시켜 12000~18000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 활성층은 GaAs/InGaAs 또는 InGaAs/InGaAsP가 하나의 쌍(pair)을 이루는 다수 개의 상의 다중 양자 우물 구조로 200~500Å정도의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2스페이서층은 700~1500Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2그레이디드인덱스층(GRIN)은 7000~12000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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제1항 또는 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2 그레이디드인덱스층(GRIN) 성장시 성장 온도를 480~530℃에서 420℃로 연속적으로 감소시켜 상기 제1 및제2그레이디드인덱스층(GRIN)의 In 조성비가 30%에서 70%로 포물선형으로 증가되도록 하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2클래드층은 아연(Zn) 또는 베릴륨(Be)의 p형 불순물을 1×1017㎝-3~5×1017㎝-3로 도핑시켜 12000~18000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 라이오드의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 캡층은 아연(Zn) 또는 베릴륨(Be)의 p형 불순물을 1×10-19㎝-3의 고농도로 도핑시켜 2000~4000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 레이저 다이오드의 제조방법
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