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기판이높은불순물농도를가지는SOI소자구조

  • 기술번호 : KST2015100397
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기판이 높은 불순물 농도를 가지는 SOI소자구조에 관한 것으로서, 종래에 표면 실리콘 불순물 농도가 기판 불순물 농도보다 훨씬 크기 때문에 이면채널에서 드레인 누설 전류가 흘러 온-오프 특성이 감소되는 문제점이 있었기에 본 발명에서는 매몰산화막 밑의 기판 불순물 농도가 표면실리콘의 불순물 농도보다 높게하는 구조를 제공함으로써 상기 드레인 누설전류에 의한 온-오프 특성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 27/12 (2006.01)
CPC H01L 21/823892(2013.01) H01L 21/823892(2013.01)
출원번호/일자 1019930028265 (1993.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0126558-0000 (1997.10.16)
공개번호/일자 10-1995-0020984 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970010684 (19970630) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.17)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유종선 대한민국 대전직할시유성구
2 강원구 대한민국 대전직할시유성구
3 강성원 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142129-14
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142128-68
3 특허출원서
Patent Application		 1993.12.17 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142127-12
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142130-50
5 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142131-06
6 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067067-71
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142132-41
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067068-16
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판위에 소정의 두께로 매몰산화막(2,12)이 형성되고, 그 위에 소정 두께의 표면실리콘(3) 또는 두께 0

2 2

제1항에 있어서, 상기 매몰산화막(2,12) 밑의 기판 불순물 농도가 상기 표면실리콘(3) 또는 상기 p-에피층(10)의 불순물 농도보다 높은 것을 특징으로 하는 기판이 높은 불순물 농도를 가지는 SOI 소자 구조

3 3

제2항에 있어서, 상기 매몰산화막(2,12) 밑의 기판 불순물 농도는 1018cm-3 이상인 것을 특징으로 하는 기판이 높은 불순물 농도를 가지는 SOI 소자 구조

4 4

제1항에 있어서, 상기 기판은 실리콘기판(1) 또는 p+기판(9)인 것을 특징으로 하는 기판이 높은 불순물 농도를 가지는 SOI 소자 구조

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.