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광통신용애벌렌치포토다이오드제조방법

  • 기술번호 : KST2015100475
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광통신용 애벌렌치 포토다이오드 재조방법에 관한 것으로서, 차아지 플레이트층(10)을 형성한 후, 증폭층의 재성장이 요구되는 SAGCM-APD에서 LPE 성장법으로 재성장하여 평탄화를 쉽게 제어하고, LPE 성장시 p-InP(12)를 증폭층(11)위에 성장함으로써 확산공정을 제거하여 APD공정의 난점중 하나인 증폭층의 두께를 쉽게 제어하는 것으로서 구성됨으로써 LPE재성장시 p-n 접합을 형성함으로써 평탄화가 쉽게 이루어져 있으므로, 기술적으로 경제적이며, 증폭층 두께를 쉽게 조절함으로써 APD 특성을 나타내는 이득 대역폭을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01) H01L 31/107(2013.01)
출원번호/일자 1019930027025 (1993.12.09)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0119226-0000 (1997.07.30)
공개번호/일자 10-1995-0021813 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970006614 (19970429) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.09)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박찬용 대한민국 대전직할시유성구
2 유지범 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0136593-89
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0136595-70
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1993-0136594-24
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0136596-15
5 출원인명의변경신고서
Applicant change Notification		 1994.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0136597-61
6 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1993-0136598-17
7 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0063499-98
8 등록사정서
Decision to grant		 1997.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0063500-57
9 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1993-0136599-52
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

n+-InP기판(1)위에 n-InP버퍼(2)층, 5×1015cm-3이하의 잔류불순물 농도 및 1

2 2

제1항에 있어서, 상기 (c)공정중 p-InP(12)을 형성하지 않고 n-InP증폭층(11)만 LPE법을 이용하여 1~2㎛두께로 성장하여 Zn확산등의 공정이 부가되어 pn접합을 형성하는 것을 특징으로 하는 광통신용 에벌렌치 포토다이오드 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.