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자기정렬전극구조를갖는리튬나이오베이트(LINBO3)방향성결합광스위치제작방법

  • 기술번호 : KST2015100492
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기정렬 전극을 이용하여 리튬나이오베이트 방향성 결합 광스위치 제작방법에 관한 것이다. 본 발명은 크롬금속마스크를 리튬나이오베이트 기판위에 형성하여 양자교환하고, 유리캡층을 광도파로 위에만 증착하고, 산소분위기에서 양자확산을 수행하고 양자확산 수행시간을 조절하여 도파모드분포를 변화시켜 결합길이를 천이길이와 일치시켜 크로스상태를 얻어서 광스위치를 제작한다. 상기한 제작공정에 의한 본 발명은 양자교환된 광도파로를 갖는 간단한 구조의 균일델타베타 광스위치를 이용하였으므로 어닐링 공정을 이용하여 쉽게 초기 크로스 상태를 얻을 수 있고 크롬금속마스크를 자기정렬 전극으로 이용하였으므로 구동전압을 낮춰 제품생산의 재생산성을 높일 수 있다.
Int. CL G02B 26/08 (.) G02B 6/26 (.)
CPC G02B 6/35(2013.01) G02B 6/35(2013.01)
출원번호/일자 1019930029087 (1993.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0116161-0000 (1997.06.09)
공개번호/일자 10-1995-0019796 (1995.07.24) 문서열기
공고번호/일자 1019970004020 (19970324) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 신상영 대한민국 서울특별시강남구
2 오민철 대한민국 대전직할시유성구
3 이상신 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0145776-48
2 특허출원서
Patent Application		 1993.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0145775-03
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0145777-94
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0145778-39
5 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0069283-73
6 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.07 수리 (Accepted) 1-1-1993-0145779-85
7 등록사정서
Decision to grant		 1997.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0069284-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광스위치의 제작방법에 있어서, 크롬금속마스크를 리튬나이오베이트 기판위에 형성하여 양자교환하고, 광도파로 위에만 유리캡층을 증착하고, 산소분위기에서 양자확산을 수행하고, 상기 양자확산 수행시간을 조절하여 도파모드분포를 변화시켜, 결합길이를 천이길이와 일치시켜 초기크로스 상태를 얻는 것을 특징으로 하는 자기정렬 전극구조를 갖는 리튬나이오베이트 방향성 결합 광스위치 제작방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 크롬금속마스크가 자기정렬 전극으로 이용되는 것을 특징으로 하는 자기정렬 전극구조를 갖는 리튬나이오베이트 방향성 결합 광스위치 제작방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 자기정렬 전극이 부가전극과 부가광도파로를 갖는 것을 특징으로 하는 자기정렬 전극구조를 갖는 리튬나이오베이트 방향성 결합 광스위치 제작방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.