광통신을 위한 반도체레이저와 광변조기가 집적된 광변조기의 집적광원에 있어서, 반절연기판(1) 상에형성된 제1도전형의 제1분리층(2)과, 상기 제1분리층(2)에 형성되고 제1분리층(1)에 비해 에너지 갭이 작은불순물이 도핑되지 않은 제1다중양자우물층(3)과, 상기 제1다중양자우물층(3) 상에 상기 제1분리층(2)과 동일한 물질로 형성된 제1도전형의 제2분리층(4)과, 상기 제2분리층(4) 상에 블순물이 도핑되지 않고 형성되며 상기 제1다중양자우물층(3)의 상기 에너지 갭보다 상대적으로 작은 에너저 갭을 가지며 광변조기영역은광흡수특성이 변화된 혼정화영역(8)로 이루어진 제2다중양자우물층(5)과, 상기 제2다중양자우물층(5)의 상부에 형성되며 반도체레이저영역의 표면이 회절격자를 이루는 제1도전형의 제3분리층(6)과, 상기 제3분리층(6)의 상부에 상기 제1, 제2 및 제3분리층(2)(4)(6) 보다 에너지 갭이 큰 제2도전형의 클래드층(9)과, 상기클래드층(9)의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 캡층(10)과, 상기 캡층(10) 상부의 반도체레이저영역과 광변조기영역에 각각 형성된 제1 및 제2전극(12)과 기판(1)의 하부에 형성된 공통전극인제3전극(13)을 구비하는 광변조기의 집적광원

제1항에 있어서, 상기 제1다중양자우물층(3)은 0

제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2다중양자우물층(3)(5)은 InGaAs/InGaAsP, InGaAs/InP, InGaAs/InAlAs, InGaAs/InGaAlAs,InGaAlAs/InAlAs 또는 InGaAlAs/InGaAlAs중 어느 하나의 구조로 형성된 것을 특징으로 하는 광변조기의 집적광원

제1항에 있어서, 상기 제1, 제2 및 제3분리층(2)(4)(6)은 InGaAsP 또는 InGaAlAs중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 광변조기의 집적광원

광통신을 위한 반도체레이저와 광변조기가 집적된 광변조기의 집적광원을 제조하는 방법에 있어서,반절연기판(1) 상에 제1도전형의 제1분리층(2), 불순물이 도핑되지 않은 제1다중양자우물층(3), 제1도전형의제2분리층(4), 불순물이 도핑되지 않은 제2다중양자우물층(5) 및 제1도전형의 제3분리층(6)을 순차적으로 결정성장시키되 상기 제1다중양자우물층(3)의 에너지 갭이 상기 제2다중양자우물층(5)의 에너지 갭보다 크게하는 단계와, 상기 제3분리층(6) 상의 반도체레이저영역에 보호막(7)을 형성한 후 광변조기영역의 상기 게2다중양자우물층(5)까지 제2도전형의 불순물을 도핑시켜 혼정화영역(8)을 형성하는 단계와, 상기 보호막(7)을에칭한 다음 상기 반도체레이저영역의 상기 제3분리층(6)의 표면에 회절격자를 형성하는 단계와, 상기 제3분리층(6)의 상부에 제2도전형의 클래드층(9)과 캡층(10)을 순차적으로 결정성장하는 단계와, 상기 캡층(10)의 상면과 기판(1) 밑면에 금속을 증착하여 상기 반도체레이저를 위한 제1전극(1l)과 상기 광변조기를 위한제2전극(12) 및 공통의 제3전극(13)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광변조기의 집적광원의 제조방법

제5항에 있어서, 상기 혼정화영역(8)을 형성하기 위한 불순물을 이온 주입 또는 확산에 의해 도핑하는것을 특징으로 하는 광변조기의 집적광원의 제조방법

제6항에 있어서, 상기 이온 주입시 불순물로 실리콘(Si) 또는 벨리움(Be)을 주입하는 것을 특징으로하는 광변조기의 집적광원의 제조방법

제6항에 있어서, 상기 확산시 불순물로 아연(Zn)을 사용하는 것을 특징으로 하는 광변조기의 집적광원의 제조방법