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차례로 적층된 제1 부분 및 제2 부분을 포함하는 하부 기판을 준비하되, 상기 제1 및 제2 부분들의 각각은 복수의 그레인들을 포함하고, 상기 제2 부분의 최대 그레인 크기는 상기 제1 부분의 최소 그레인의 크기보다 작은 것;상기 하부 기판의 제2 부분을 제거하여, 상기 하부 기판의 제1 부분을 노출시키는 것; 및상기 하부 기판의 제1 부분 상에 광전 변환층을 형성하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 하부 기판의 제2 부분의 그레인들의 크기의 산포도(dispersion)가 상기 하부 기판의 제1 부분의 그레인의 크기의 산포도(dispersion)보다 큰 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 부분은 금속 산화물을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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4
제1 항에 있어서,상기 제2 부분은 식각 공정에 의하여 제거되는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제4 항에 있어서,상기 식각 공정은 습식 식각 공정인 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 제2 부분은 폴리싱(polishing) 공정 또는 샌딩(sanding) 공정에 의하여 제거되는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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7
제1 항에 있어서,상기 하부 기판 상에 상부 기판을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 광전 변환층을 형성하는 것은, 상기 하부 기판의 상기 제1 부분 상에 전극 도트들(Dots)을 포함하는 반도체 전극층을 형성하는 것,상기 전극 도트들의 표면에 염료층을 흡착하는 것;상기 반도체 전극층 상에 상부 기판을 배치하는 것; 및상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 전해질을 주입하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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8
제1 항에 있어서,상기 하부 기판 상에 입사면 및 상기 입사면에 대향하는 출사면을 갖는 상부 기판을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 광전 변환층을 형성하는 것은,상기 상부 기판의 상기 출사면 상에 전극 도트들(Dots)을 포함하는 반도체 전극층을 형성하는 것;상기 전극 도트들의 표면에 염료층을 흡착하는 것; 상기 상부 기판을 상기 하부 기판 상에 배치하는 것; 및 상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이에 전해질을 주입하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 광전 변환층을 형성하는 것은,상기 하부 기판의 제1 부분 상에 제1 도전형의 도펀트로 도핑된 제1 반도체막을 형성하는 것; 및상기 제1 반도체막 상에 제2 도전형의 도펀트로 도핑된 제2 반도체막을 형성하는 것을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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10
차례로 적층되고 서로 다른 그레인 크기들을 갖는 제1 부분 및 제2 부분을 포함하는 기판을 준비하는 것, 및 상기 제2 부분을 제거하여 제1 부분의 상부면을 노출시키는 것에 의해 형성된 하부 기판, 상기 노출된 제1 부분의 상부면은 상기 하부 기판의 활성면인 것;상기 하부 기판의 상기 활성면에 대향된 일면을 갖는 상부 기판; 및상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이의 광전 변환층을 포함하는 태양 전지
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11
제10 항에 있어서,상기 제1 부분 및 제2 부분의 각각은 복수의 그레인들을 포함하고, 상기 제2 부분의 최대 그레인 크기는 상기 제1 부분의 최소 그레인 크기보다 작은 태양 전지
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12
제10 항에 있어서,평면적 관점에서, 상기 하부 기판의 상기 활성면은 각을 이루는 결정 입계(grain boundary)들을 포함하는 태양 전지
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13
제10 항에 있어서,상기 광전 변환층은,상기 하부 기판의 상기 활성면 상에 배치되고, 전극 도트들(Dots)을 포함하는 반도체 전극층;상기 전극 도트들의 표면에 흡착된 염료층; 및상기 하부 기판 및 상기 상부 기판 사이를 채우는 전해질을 포함하는 태양 전지
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14
제13 항에 있어서,상기 전해질 및 상기 상부 기판 사이의 촉매층; 및상기 촉매층 및 상기 상부 기판 사이의 전도층을 더 포함하는 태양 전지
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15
제14 항에 있어서,상기 전극 도트들의 일부는 상기 하부 기판의 활성면과 접촉하는 태양 전지
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제13 항에 있어서,상기 반도체 전극층 및 상기 상부 기판 사이의 전도층; 및상기 전해질 및 상기 하부 기판의 활성면 사이의 촉매층을 더 포함하는 태양 전지
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제16 항에 있어서,상기 전극 도트들의 일부는 상기 전도층과 접촉하는 태양 전지
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제10 항에 있어서,상기 광전 변환층은, 상기 하부 기판의 활성면 상에 배치되고, 제1 도전형의 도펀트로 도핑된 제1 반도체막; 및상기 제1 반도체막 상에 배치되고, 제2 도전형의 도펀트로 도핑된 제2 반도체막을 포함하는 태양 전지
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19
제18 항에 있어서,상기 제1 반도체막 및 제2 반도체막 사이의 진성 반도체막을 더 포함하는 태양 전지
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제10 항에 있어서,상기 하부 기판의 상기 활성면은 요철 구조를 갖는 태양 전지
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