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결정성장층의방향특성을고려한절연막패턴을이용하는선택결정성장법

  • 기술번호 : KST2015101103
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광소자 제조 방법에 관한 것으로 특히, 집적형 광소자 제조에 필수적인 선택결정성장(Selective Area Growth)법에 있어서 선택결정성장층의 면 방향특성을 고려한 절연막 패턴을 이용하는 선택결정성장법에 관한 것으로, 선택결정성장층의 전기적 광학적 특성의 저하를 방지하기 위하여 절연막 패턴의 경계면에서의 결정성장의 면 방향 특성을 고려하여 결함의 발생을 억제할 수 있는 절연막 패턴을 이용한 선택결정성장법으로 결정성장을 한다. 그 실시예로서, 직사각형 모양으로 이루어지되, 연속된 직각이등변삼각형의 빗변이 상기 직사각형의 두변을 이루어 길이 방향으로 가장자리에 산과 골이 반복되는 톱니모양을 갖는 두 절연막 패턴을 이용한 선택결정성장을 실시한다.선택결정성장법, 결정성장층, 절연막, 패턴, 면방향, 직각삼각형
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01) H01L 33/16(2013.01)
출원번호/일자 1019970063395 (1997.11.27)
출원인 주식회사 케이티, 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0264975-0000 (2000.06.08)
공개번호/일자 10-1999-0042553 (1999.06.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.11.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장동훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 박철순 대한민국 대전광역시 유성구
3 박경현 대한민국 대전광역시 유성구
4 이중기 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.11.27 수리 (Accepted) 1-1-1997-0199533-19
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.11.27 수리 (Accepted) 1-1-1997-0199532-63
3 특허출원서
Patent Application		 1997.11.27 수리 (Accepted) 1-1-1997-0199531-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0396321-73
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2000.02.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2000-5040733-06
8 의견서
Written Opinion		 2000.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2000-5040732-50
9 등록사정서
Decision to grant		 2000.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0121397-98
10 FD제출서
FD Submission		 2000.06.09 수리 (Accepted) 2-1-2000-5092177-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반도체 표면 상에 소정의 간격을 두고 형성되는 두 개의 절연막 패턴을 이용하여 결정성장층의 밴드갭을 조절하는 선택결정성장법에 있어서,

상기 절연막 패턴은 직사각형 모양을 이루되, 상기 두 절연막 패턴을 이루는 직사각형의 마주보는 두변이 다수의 직각삼각형의 빗변으로 이루어져, 그 가장자리에 산과 골이 반복되는 톱니모양을 갖는 선택결정성장법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 두 절연막 패턴 간의 직선거리가 일정하도록,

제1 절연막 패턴 가장자리의 톱니를 이루는 산과, 제2 절연막 패턴 가장자리의 톱니를 이루는 골이 대응되는 선택결정성장법

3 3

제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

상기 다수의 직각삼각형은 삼각형은 모두 합동인 직각이등변삼각형으로 이루어지는 절연막 패턴을 이용하는 선택결정성장법

4 4

제 3 항에 있어서,

절연막 패턴은 Si3N4 또는 SiO2 중 어느 하나로 형성하는 선택결정성장법

5 5

제 4 항에 있어서,

상기 반도체는 GaAs 또는 InP 중 어느 하나로 이루어지는 선택결정성장법

6 6

제 5 항에 있어서,

상기 결정성장층은 GaInP, InGaAs, GaAs, InP 중 적어도 어느 하나로 형성하는 선택결정성장법

7 7

제 6 항에 있어서,

상기 다수의 직각삼각형의 각 빗변은 실질적으로 <100> 방향으로 이루어지는 선택결정성장법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.