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고효율 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015101155
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 입사광의 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양전지에 있어서, 상부 오믹층을 45°미만의 경사 각도를 갖도록 형성하고 그 상부에 오믹 전극을 증착함으로써, 오믹 전극에 의한 음영 손실을 줄이면서 접촉 저항을 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.태양전지, 메사형 상부 오믹층, 음영 손실, 접촉 저항
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020070100597 (2007.10.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0035355 (2009.04.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.10.05)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현수 대한민국 대전 서구
2 한원석 대한민국 대전 유성구
3 최병석 대한민국 대전 서구
4 오대곤 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0717910-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2008.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0510532-20
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0051056-63
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0155519-34
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.07.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0308069-34
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입사광의 빛 에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양전지에 있어서,상기 입사광이 상기 태양전지 내부로 입사되도록 소정의 경사 각도를 갖는 측면이 구비된 상부 오믹층 및 상부 오믹 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 소정의 경사 각도는 45°미만의 각도인 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지
3 3
제 1항에 있어서, 상기 상부 오믹 전극은 상기 상부 오믹층 위에 형성되며, 상기 상부 오믹층과 동일한 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지
4 4
제 1항에 있어서, 상기 상부 오믹 전극의 측면으로 입사된 입사광은 상기 소정의 경사 각도 이상의 반사각으로 반사되어 상기 태양전지 내부로 입사되는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지
5 5
제 1항에 있어서, 상기 상부 오믹층의 측면은 선택적 습식 식각 또는 반응성 건식 식각에 의해 상기 소정의 경사 각도를 갖도록 식각된 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지
6 6
제 1항에 있어서, 상기 상부 오믹층의 측면은 선택적 영역 성장에 의해 상기 소정의 경사 각도를 갖도록 성장된 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지
7 7
제 1항에 있어서, 상기 상부 오믹층 및 상기 상부 오믹 전극은 삼각형 형상인 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지
8 8
제 1항에 있어서, 상기 상부 오믹 전극의 상부에는 그리드 라인, 버스 라인 및 금속 패드가 형성되며,상기 그리드 라인은 반사된 빛이 인접한 다른 측면에서 재반사되지 않도록 최소 그리드 간격을 만족하도록 형성된 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지
9 9
제 1항에 있어서, 상기 상부 오믹 전극의 그리드 라인의 방향이 기판 방향에 대하여 소정 각도로 경사지게 형성된 경우, 상기 소정 각도에 따라 상기 상부 오믹 전극의 반사 각도가 변화되는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지
10 10
제 1항에 있어서, 상기 상부 오믹 전극의 버스 라인의 방향이 기판 방향에 대하여 소정 각도로 경사지게 형성된 경우, 상기 소정 각도에 따라 상기 상부 오믹 전극의 반사 각도가 변화되는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지
11 11
제 1항에 있어서, 상기 상부 오믹 전극 상부에 UV 및 가시광선 영역에서 높은 반사율을 갖는 금속이 증착된 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지
12 12
(a1) 기판 위에 BSF층, 광흡수층, 윈도우층, 상부 오믹층이 차례로 형성된 상태에서, 상기 상부 오믹층 상부에 포토리소그라피 공정을 통해 식각 마스크를 형성하는 단계;(b1) 상기 상부 오믹층의 측면이 소정의 경사 각도를 갖도록 식각하는 단계; 및(c1) 상기 소정의 경사 각도를 갖는 측면이 구비된 상부 오믹층 상부에 금속 코팅 공정을 통해 상부 오믹 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지 제조방법
13 13
제 12항에 있어서, 상기 상부 오믹층의 측면은 선택적 습식 식각 또는 반응성 건식 식각에 의해 식각되는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지 제조방법
14 14
제 12항에 있어서, 상기 식각 마스크는 포토 레지스트를 포함하는 소프트 마스크인 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지 제조방법
15 15
(a2) 기판 위에 BSF층, 광흡수층, 윈도우층이 차례로 형성된 상태에서, 상기 윈도우층 상부에 포토리소그라피 공정을 통해 성장 저지 마스크를 형성하는 단계;(b2) 상기 성장 저지 마스크를 이용하여 상기 윈도우층 상부의 일부 영역에 상부 오믹층을 선택적으로 성장시키되, 그 측면이 소정의 경사 각도를 갖도록 성장시키는 단계; 및(c2) 상기 소정의 경사 각도를 갖는 측면이 구비된 상부 오믹층 상부에 금속 코팅 공정을 통해 상부 오믹 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지 제조방법
16 16
제 15항에 있어서, 상기 성장 저지 마스크는 유전체 막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지 제조방법
17 17
제 15항에 있어서, 상기 성장 저지 마스크는 무반사막으로 사용되는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지 제조방법
18 18
제 12항 또는 제 15항에 있어서, 상기 소정의 경사 각도는 45°미만의 각도인 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지 제조방법
19 19
제 12항 또는 제 15항에 있어서, 상기 상부 오믹 전극의 상부에 그리드 라인, 버스 라인 및 금속 패드를 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 그리드 라인은 반사된 빛이 인접한 다른 측면에서 재반사되지 않도록 최소 그리드 간격을 만족하도록 형성된 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지 제조방법
20 20
제 19항에 있어서, 상기 상부 오믹 전극의 그리드 라인 또는 버스 라인의 방향을 기판 방향에 대하여 소정 각도로 경사지게 형성하여 상기 상부 오믹 전극의 반사 각도를 변화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고효율 태양전지 제조방법
21 21
제 12항 또는 제 15항에 있어서, 상기 상부 오믹 전극 상부에, UV 및 가시광선 영역에서 높은 반사율을 갖는 금속을 증착하는 단계를 더 포함하는 특징으로 하는 고효율 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20100252094 US 미국 FAMILY
2 WO2009044996 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010252094 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2009044996 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 한국전자통신연구원 IT신성장동력핵심기술개발사업 유비쿼터스 단말용 부품 모듈