동일한 기판상에 형성되는 평면형 광증폭기에 있어서,

실리콘 기판(301) 위에 희토류 금속 성분이 첨가되지 않은 유리막(302)이 형성되고, 그 내부에 신호광 입력/출력 도파로(304)(306), 펌핑광 입력 도파로(305), 파장다중화기와 같은 부속 광회로를 구성하는 저손실 광도파로가 형성되며;

상기 유리막(302) 위에 희토류 금속 성분이 첨가된 유리막(303)이 형성되고, 그 내부에 광증폭 회로를 구성하는 증폭용 광도파로(307)가 형성되며;

상기 증폭용 광도파로(307)의 시작부분이 하단에 위치한 신호광 입력 도파로(304)의 끝부분과 일부 겹쳐지며, 상기 증폭용 광도파(307)로의 끝부분이 하단에 위치한 신호광 출력 도파로(306)의 시작부분과 일부 겹쳐져, 저손실 광도파로를 통해 입력된 신호광 및 펌핑광이 상단의 증폭용 광도파로에 자연스럽게 이동되어 신호광의 증폭이 일어난 후 다시 하단의 저손실 도파로로 이동되어 출력되도록 하는 것을 특징으로 하는 평면형 광증폭기

제1항에 있어서,

상기 펌핑광 입력 도파로(305)의 끝부분이 신호광 입력 도파로(304)의 중간부분에 연결되어 파장다중화기를 구성하는 것을 특징으로 하는 평면형 광증폭기

동일한 기판상에 형성되는 평면형 광증폭기 제조 방법에 있어서,

실리콘 기판(401) 표면에 화염가수분해법을 이용하여 미세한 유리입자들을 증착시킨 후 열처리를 행하여 다공성 유리막(402)을 형성시킨 후, 이 다공성 유리막(402) 위에 회전도포 방법으로 감광막(403)을 입힌 후 포토리소그라피 공정을 통하여 신호광 입력 도파로, 펌핑광 입력 도파로, 신호광 출력 도파로 및 파장다중화기를 동시에 형성하기 위한 도파로 패턴을 형성하는 제1공정;

상기 도파로 패턴이 형성된 실리콘 기판(403) 전체를 Ge과 같이 굴절률을 증가시키는 금속이온이 용해되어 있는 용액 또는 콜로이드 졸에 일정시간 담구어 도파로 패턴 속으로 Ge 성분을 함침시켜 함침부(404)를 형성하는 제2공정;

상기 감광막(403)을 유기용제로 제거한 후 화염가수분해법을 이용하여 미세한 유리입자들을 다시 증착시킨 다음, 고온 열처리 공정을 행하여 다공성 유리막 및 미세한 유리입자들을 완전히 치밀화시켜 유리막(405)을 형성함으로써 저손실 광도파로를 완성하는 제3공정;

상기 완전하게 치밀화된 유리막(405) 위에 화염가수분해법을 이용하여 미세한 유리입자들을 증착시킨 후 고온 열처리를 행하여 유리입자들을 불완전하게 치밀화시켜 다공성 유리막(408)을 형성하는 제4공정;

상기 다공성 유리막(408) 위에 회전도포 방법으로 감광막(409)을 입힌 후 포토리소그라피 공정을 통하여 증폭용 도파로 패턴을 형성하는 제5공정;

상기 도파로 패턴이 형성된 실리콘 기판(401) 전체를 Er, Yb와 같은 희토류 금속이온이 용해되어 있는 용액 또는 콜로이드 졸에 일정시간 담구어 증폭용 도파로 패턴 속으로 희토류 금속 성분이 함침되도록 하여 함침부(410)를 형성하는 제6공정; 및

상기 감광막(409)을 유기용제로 제거한 후 화염가수분해법을 이용하여 미세한 유리입자들을 다시 증착시킨 다음 고온 열처리 공정을 행하여 다공성 유리막 및 미세한 유리입자들을 완전히 치밀화시켜 증폭용 광도파로를 완성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 광증폭기 제조 방법

동일한 기판상에 형성되는 평면형 광증폭기 제조 방법에 있어서,

실리콘 기판(501) 표면에 화염가수분해법을 이용하여 미세한 유리입자들을 증착시키되, 산수소 화염속에 유입되는 유리 원료의 화학 조성을 조절하여 초반부에 증착되는 유리입자의 굴절률이 후반부에 증착되는 유리입자의 굴절률보다 작게 하고, 증착된 유리입자들을 고온에서 열처리하여 완전히 치밀한 저굴절률 유리막(502) 위에 고굴절률 유리막(503)을 형성되도록 하는 제1공정;

상기 고굴절률 유리막(503)에 크롬 또는 알루미늄 막을 열증착시킨 후 회전도포 방법으로 감광막을 입히고 포토리소그라피 공정을 통하여 신호광 입력 도파로, 펌핑광 입력 도파로, 신호광 출력 도파로 및 파장다중화기를 동시에 형성하기 위한 도파로 패턴을 형성하고, 유도결합플라즈마 식각공정을 거쳐 패턴대로의 저손실 광도파로의 고굴절률 코아부(504)를 형성하는 제2공정;