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기판 상에 활성층, 캡층, 오믹 금속층 및 절연막을 순차적으로 형성하는 단계;상기 절연막 상에 다층의 감광막을 형성하는 단계;상기 다층의 감광막을 패터닝하여 게이트 전극을 위한 제 1 개구부 및 전계 전극을 위한 제 2 개구부를 포함하는 감광막 패턴을 형성하는 단계;상기 감광막 패턴을 식각 마스크로 이용하여 상기 절연막을 식각하되, 상기 제 1 개구부를 통해 상기 캡층이 노출되도록 상기 제 1 개구부 내의 절연막을 더욱 깊게 식각하는 단계;상기 제 1 개구부를 통해 절연막이 식각되어 노출된 캡층을 식각하여 게이트 리쎄스 영역을 형성하는 단계; 및상기 게이트 리쎄스 영역과, 상기 식각된 절연막 상에 금속을 증착하여 게이트-전계 전극층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 형성된 게이트-전계 전극층은 전계 전극이 게이트 전극에 연결되는 감마형 게이트 전극층이며,상기 절연막을 식각하는 단계에서,상기 제2 개구부를 통해 상기 다층의 감광막 중 최하층의 감광막과 상기 절연막의 상부 일부를 식각하여, 감마형 게이트 전극층의 전계 전극이 형성될 부분의 하부의 절연막의 두께를 조절하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 감광막 패턴을 형성하는 단계에서, 상기 제 1 개구부를 통해 상기 절연막이 노출되고, 상기 제 2 개구부를 통해 상기 다층의 감광막 중 최하층의 감광막이 노출되도록 상기 다층의 감광막을 패터닝하는 것을 특징으로 하는전계효과 트랜지스터의 제조 방법
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제 2항에 있어서,상기 절연막의 식각시에 상기 감광막 패턴 중 상기 최하층의 감광막과 그 윗층의 감광막이 노출된 영역에서 모두 상기 절연막이 노출될 수 있도록 식각 선택비를 고려하여 상기 다층의 감광막의 종류 및 두께를 선택하는 것을 특징으로 하는전계효과 트랜지스터의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 게이트-전계 전극층은 하나의 금속층으로 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는전계효과 트랜지스터의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 절연막은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, HfO2, BCB 및 실리카 젤 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는전계효과 트랜지스터의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 다층의 감광막은 4층으로 형성되며, PMMA/PMGI/Copolymer/PMMA 또는 ZEP/PMGI/Copolymer/ZEP의 조합 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는전계효과 트랜지스터의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 게이트 리쎄스 영역을 형성하는 단계는 건식, 습식 또는 건식과 습식을 조합한 식각 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는전계효과 트랜지스터의 제조 방법
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제 7항에 있어서,상기 게이트 리쎄스 영역을 형성하는 단계는 CF4, BCl3, Cl2 및 SF6 중 적어도 하나를 포함하는 건식 식각 가스를 이용하여 수행되거나, H3PO4, H2O2 및 H2O 중 적어도 하나를 포함하는 습식 식각 용액을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는전계효과 트랜지스터의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 게이트 전극 및 상기 전계 전극의 형성 이후에, 리프트 오프 공정을 통해 남아 있는 감광막 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 전계효과 트랜지스터의 제조 방법
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기판;상기 기판 상에 형성되는 활성층;상기 활성층 상에 형성되며, 일부분에 게이트 리쎄스 영역이 형성되어 상기 활성층을 상부로 노출시키는 캡층;상기 캡층 상의 양 측면에 오믹 금속층으로 형성되어 소스 및 드레인 전극으로 기능하는 오믹 금속층;상기 캡층 및 상기 오믹 금속층 상에 형성되며, 상기 게이트 리쎄스 영역의 상부에 식각홀이 형성되어 상기 게이트 리쎄스 영역을 상부로 노출시키고, 상기 식각홀에 근접하여 식각홈이 형성되는 절연막; 및상기 게이트 리쎄스 영역, 상기 식각홀 및 상기 식각홈이 하나의 금속층으로 채워지는 형태로 상기 절연막 상에 형성되는 게이트-전계 전극층을 포함하며,상기 형성된 게이트-전계 전극층은 전계 전극이 게이트 전극에 연결되는 감마형 게이트 전극층이며,상기 절연막의 상부 일부가 식각되어 상기 식각홈이 형성되어, 감마형 게이트 전극층의 전계 전극이 형성될 부분의 하부의 절연막의 두께가 조절되는 전계효과 트랜지스터
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