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초격자 도파로 구조를 갖는 파장가변 반도체 광여과기
- 기술번호 : KST2015102378
- 담당센터 : 대전기술혁신센터
- 전화번호 : 042-610-2279
| 요약 | 본 발명은 초격자(superlattice) 도파로 구조를 갖는 파장가변 반도체 광여과기에 관한 것으로, 특히 파장분할 다중 방식(Wavelength Division Multiplexing: 이하, 'WDM'이라 한다)의 광통신에 사용되는 파장선택성을 갖는 광여과기(Optical Tunable Filter)에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 광여과기는, n형 InP 기판(1)과, 그 위에 두께 0.5∼1㎛로 적층된 n형 InP 성장완충층(2)과, 그 위에 InGaAsP 장벽층(3a)과 InGaAsP 우물층(3b)이 교대로 적층 형성된 InGaAsP/InGaAsP 초격자구조의 제 1 광도파로층(3)과, 그 위에 두께 0.5∼1.5㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(4)과, 그 위에 두께 0.05∼0.2㎛로 적층되고 10∼20㎛의 주기를 갖도록 공간적으로 제한된 n형 또는 p형 InGaAsP 회절격자층(5)과, 그 위에 두께 0.1∼1.0㎛로 적층된 n형 또는 p형 InP층(6)과, 그 위에 두께 0.2∼3㎛로 적층되고 1∼5㎛의 폭과 3∼10㎜의 길이를 갖도록 공간적으로 제한된 p형 InGaAsP 제 2 광도파로층(7)과, 그 위에 두께 1∼3㎛로 적충된 p형 InP 클래드층(8)과, 그 위에 두께 0.05∼0.3㎛로 적충된 p형 InGaAsP 오믹 접촉층(9)으로 구성된 웨이퍼 상에, 상기한 제 2 광도파로층(7)보다 1∼10㎛ 더 넓은 창폭을 갖도록 적층된 실리콘 나이트라이드(SINx) 또는 이산화 규소(SiO2)와 같은 유전체층(10)과, 그 위에 적층된 p형 전극금속층(11) 및 상기한 기판(1) 아래에 형성된 n형 전극금속층(12)으로 이루어진다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/00 (2014.01) |
| CPC | H01L 33/58(2013.01) H01L 33/58(2013.01) H01L 33/58(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1019960066279 (1996.12.16) |
| 출원인 | 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티 |
| 등록번호/일자 | 10-0216528-0000 (1999.05.31) |
| 공개번호/일자 | 10-1998-0047765 (1998.09.15) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (19990816) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (1996.12.16) |
| 심사청구항수 | 6 |