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수직형 자기 정렬 화염가수분해 반응토치

  • 기술번호 : KST2015102380
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야 수직형 자기 정렬 화염가수분해(FHD) 반응토치.2. 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제본 발명은 FHD의 기존 토치의 앵글증착(40∼50도)에서 수직하향과 수직상향을 동시에 수용하므로써 안정한 화염형성, 반응길이의 증가로 기존의 문제점인 불안정한 화염과 기판과의 특정한 각도를 유지해야 하는 원료의 비효율성등과 시스템 구성의 제한등을 해소한 화염 가수분해 반응토치를 제공함에 그 목적이 있다.3. 발명의 해결방법의 요지본 발명은 기판상에 실리카 미립자를 증착할 수 있도록 길이가 차별화된 다수의 동심원 관을 구비하여 반응원료 및 가스를 가수분해반응시키는 버너를 포함하되, 상기 길이가 차별화된 동심원 관에 의해 방사되는 토치화염과 기판과의 접촉길이를 소정길이만큼 길게하여 상대적으로 저온화시켜 고균질의 실리카막을 기판에 증착하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치를 제공한다.4. 발명의 중요한 용도화염가수분해 토치의 화염을 기판과의 접촉길이를 늘려 상대적으로 저온화시켜 실리카막을 증착할 수 있도록 한 것임.
Int. CL G02B 6/13 (2006.01)
CPC C03B 19/1423(2013.01) C03B 19/1423(2013.01) C03B 19/1423(2013.01) C03B 19/1423(2013.01)
출원번호/일자 1019960069783 (1996.12.21)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0211048-0000 (1999.04.29)
공개번호/일자 10-1998-0050935 (1998.09.15) 문서열기
공고번호/일자 (19990715) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 발송
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.12.21)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심재기 대한민국 대전광역시 유성구
2 이윤학 대한민국 대전광역시 유성구
3 신장욱 대한민국 대전광역시 유성구
4 성희경 대한민국 대전광역시 유성구
5 정명영 대한민국 대전광역시 유성구
6 최태구 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신성특허법인(유한) 대한민국 서울특별시 송파구 중대로 ***, ID타워 ***호 (가락동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231136-03
2 특허출원서
Patent Application
1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231135-57
3 출원심사청구서
Request for Examination
1996.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231137-48
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.04 수리 (Accepted) 1-1-1996-0231138-94
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
6 등록사정서
Decision to grant
1999.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0073136-91
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
17 출원인정보변경(경정)신고서
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2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

기판상에 실리카 미립자를 증착할 수 있도록 길이가 차별화된 다수의 동심원 관을 구비하여 반응원료 및 가스를 가수분해 반응시키는 버너를 포함하되, 상기 길이가 차별화된 동심원 관에 의해 방사되는 토치화염과 기판과의 접촉길이를 소정길이만큼 길게하여 상대적으로 저온화시켜 고균질의 실리카막을 기판에 증착하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

2 2

제1항에 있어서, 상기 버너의 동심원관은 중심측부터 원료가스, 수소, 헬륨, 산소, 헬륨순으로 공급하기 위한 석영관으로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

3 3

제1항 또는 제2항에 있어서, 화염의 접촉온도를 낮추기 위하여 같은 온도의 수소가스를 헬륨과 혼합시켜 화염의 길이를 증가시켜 원료와의 반응길이가 증가되도록 한 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

4 4

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 원료가스의 인입 석영관을 수소 석영관보다 소정길이만큼 짧게 형성하여 수소와의 선반응과 수소 석영관의 고열에 의한 원료 석영관의 관막힘 현상을 억제시키도록 한 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

5 5

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 다수의 동심원관의 소정부를 삽입하여 지지고정하는 내열성 테프론 블록으로 이루어진 홀더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

6 6

제5항에 있어서, 상기 동심원관의 유동을 2° 이내로 구속시키기 위하여 그가 끼워지는 테프론 홀더의 내부 부위에 소정크기의 고정가이드가 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

7 7

제1항 또는 제2항에 있어서, 산소 석영관상의 소정위치에 헬륨실드라인이 구비되며, 상기 산소석영관과 수소석영관의 노즐 팁이 일치되도록 하여 석영관 가열로 인한 수소석영관의 오염과 실리카의 형성으로 발생된 관변형을 방지하는 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

8 8

제1항 또는 제2항에 있어서, 원료의 인입 컨덕턴스를 높히기 위하여 상기 원료 인입석영관은 3/8로 배관하며, 원료인입과 석영관의 구조가 단일화되도록 한 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

9 9

제1항 또는 제2항에 있어서, 석영관내 가스의 유속 균일성을 높히기 위하여 화염의 원료인 수소와 산소등 고압가스의 인입라인이 양방향(Double Inlet) 인입라인으로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

10 10

제1항 또는 제2항에 있어서, 산소석영관의 2차 쉴드라인을 소정길이만큼 돌출되게 형성하여 화염의 직진성과 접속성을 높혀 최외각 석영관내 수트증착을 방지하고 화염의 외부를 희석시켜 내측반응성을 높히도록 한 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

11 11

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 다수의 동심원 관이 자기정렬을 이루도록 그들의 각각의 사이에 장착되며, 외주면에 다수의 돌기가 구비된 스페이서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

12 12

제11항에 있어서, 상기 스페이서는 화염에 의해 발생되는 고열에 대응하여 축정렬의 유지시킬 수 있도록 극한소재인 내열성 수지(베스펠-SP-1A)로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

13 13

제12항에 있어서, 상기 다수의 동심원 관 각각에 끼워지는 스페이서의 돌기부는 축정렬의 오차를 최소화하기 위하여 6∼12개로 형성된 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

14 14

제1항 또는 제2항에 있어서, 산소의 2차 쉴드라인의 외측에 석영관 전체의 동축공정과 화염 쉴드 석영관의 고정을 위한 동축조정부가 형성되며, 상기 동축조정부에 축이동을 소정각도 이내로 조정하기 위한 조정나사가 장착된 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

15 15

제1항 또는 제2항에 있어서, 화염의 직진성과 접속성을 부여하기 위하여 최외각 석영관에 화염 쉴드 석영관을 총 원료 유량에 따라 소정길이만큼 길게 형성하여 화염내의 원료가스의 반응길이를 증가시키도록 한 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

16 16

제15항에 있어서, 상기 화염 쉴드 석영관은 화염의 고열에 직접 노출되는 것에 따른 변형을 방지하기 위하여 석영관의 홀더블록을 베스펠로 형성한 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

17 17

제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 하염 쉴드 석영관 외부에 장착되어 반응로내의 배기로 인한 공기의 흐름으로 발생되는 불안정한 화염을 안정화시키도록 장착된 화염 안정화 석영관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직형 자기정렬 화염가수분해 반응 토치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.