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실리콘카바이드 단결정 성장 장치

  • 기술번호 : KST2015107499
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 SiC 단결정 성장장치에 관한 것으로, 내부에 SiC 단결정 원료가 장입되는 도가니; 상기 도가니를 감싸는 단열재; 상기 단열재의 외부에 형성되는 석영관 및 상기 석영관의 외측에 형성된 가열수단; 상기 도가니의 상측 내부에 부착되어 종자정이 부착되도록 하는 종자정 홀더; 및 상기 종자정 홀더와 이격 형성되고 상기 도가니의 내주면에 환형으로 형성되어 상기 SiC 단결정 원료를 유도하는 가이드링; 을 포함하는 SiC 단결정 성장장치를 제공하여, 도가니의 내주면에 가이드링을 형성하여 단결정과 다결정이 분리 형성되도록 함과 동시에 가이드링과 종자정간의 거리를 조절함으로써 SiC 단결정 원료의 낭비를 막을 수 있는 효과가 있다.
Int. CL C30B 23/02 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01)
CPC C30B 23/02(2013.01) C30B 23/02(2013.01) C30B 23/02(2013.01) C30B 23/02(2013.01) C30B 23/02(2013.01) C30B 23/02(2013.01)
출원번호/일자 1020110145001 (2011.12.28)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0076418 (2013.07.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.08)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김장열 대한민국 경북 포항시 남구
2 이승석 대한민국 경북 포항시 남구
3 은태희 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 여임규 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 박종휘 대한민국 부산광역시 금정구
6 이원재 대한민국 서울 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-1046112-78
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0878176-75
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0788238-19
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0130557-84
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0631369-91
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-1108133-87
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.11.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1108135-78
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0138378-50
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
내부에 SiC 단결정 원료가 장입되는 도가니;상기 도가니를 감싸는 단열재;상기 단열재의 외부에 형성되는 석영관 및 상기 석영관의 외측에 형성된 가열수단;상기 도가니의 상측 내부에 부착되어 종자정이 부착되도록 하는 종자정 홀더; 및상기 종자정 홀더와 이격 형성되고 상기 도가니의 내주면에 환형으로 형성되어 상기 SiC 단결정 원료를 유도하는 가이드링;을 포함하는 SiC 단결정 성장장치
2 2
제1항에 있어서,상기 가이드링과 상기 종자정간의 거리는 5mm이하인 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 성장장치
3 3
제1항에 있어서,상기 가이드링은 상기 도가니 내부를 향해 돌출되면서 경사면이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 성장장치
4 4
제1항에 있어서,상기 종자정 홀더는 흑연 재질인 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 성장장치
5 5
제1항에 있어서,상기 도가니는 Ta, Hf, Nb, Zr, W, V 중 하나 또는 둘 이상의 혼합물과 탄소로 이루어진 탄화물 또는 Ta, Hf, Nb, Zr, W, V 중 하나 또는 둘 이상의 혼합물과 질소가 이루는 질화물로 도포되는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 성장장치
6 6
제1항에 있어서,상기 단열재는 복수의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 성장장치
7 7
제1항에 있어서,상기 가열수단은 고주파 유도 코일인 것을 특징으로 하는 SiC 단결정 성장장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주) 포스코 소재부품기술개발사업(WPM) 고품위 SiC 단결정 웨이퍼 제조 기술