맞춤기술찾기

이전대상기술

실리콘카바이드 단결정 성장방법

  • 기술번호 : KST2015107555
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 종자정 홀더의 종자정이 부착되지 않은 부분에서 다결정이 성장되는 것을 억제할 수 있는 실리콘카바이드 단결정 성장방법에 관한 것이다.본 발명의 실시예에 따른 실리콘카바이드 단결정 성장방법은, 그 내부에 단결정 원료가 장입되는 도가니, 상기 도가니의 내벽에 부착되어 종자정을 고정시키는 종자정 홀더, 상기 도가니를 둘러싸는 단열재 및 상기 도가니를 가열하도록 배치되는 가열수단을 포함하는 단결정 성장장치가 사용되는 SiC 단결정 성장방법에 있어서, 상기 종자정을 상기 종자정 홀더에 부착시키는 단계; 단결정 조각을 상기 종자정 홀더에 부착시키는 단계; 상기 종자정 및 상기 단결정 조각이 부착된 상기 종자정 홀더를 상기 도가니 내부의 일면에 장착시키는 단계; 상기 도가니의 내부에 단결정 원료를 장입시키는 단계; 및 단결정을 성장시키는 단계; 를 포함할 수 있다.
Int. CL C30B 23/02 (2006.01) C30B 29/36 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC C30B 23/02(2013.01) C30B 23/02(2013.01) C30B 23/02(2013.01) C30B 23/02(2013.01) C30B 23/02(2013.01)
출원번호/일자 1020110136805 (2011.12.16)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2013-0069193 (2013.06.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.09.08)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이승석 대한민국 경북 포항시 남구
2 은태희 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 여임규 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김장열 대한민국 경북 포항시 남구
5 박종휘 대한민국 부산광역시 금정구
6 이원재 대한민국 서울 광진구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-1004604-56
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0878178-66
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2017.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2017-0788240-01
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2017-0130527-14
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0631367-00
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0880545-04
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그 내부에 단결정 원료가 장입되는 도가니, 상기 도가니의 내벽에 부착되어 종자정을 고정시키는 종자정 홀더, 상기 도가니를 둘러싸는 단열재 및 상기 도가니를 가열하도록 배치되는 가열수단을 포함하는 단결정 성장장치가 사용되는 SiC 단결정 성장방법에 있어서,상기 종자정을 상기 종자정 홀더에 부착시키는 단계;단결정 조각을 상기 종자정 홀더에 부착시키는 단계;상기 종자정 및 상기 단결정 조각이 부착된 상기 종자정 홀더를 상기 도가니 내부의 일면에 장착시키는 단계;상기 도가니의 내부에 단결정 원료를 장입시키는 단계; 및단결정을 성장시키는 단계;를 포함하는 실리콘카바이드 단결정 성장방법
2 2
제1항에 있어서,상기 단결정 조각은 상기 종자정 홀더에서 상기 종자정이 부착되지 않은 부분에 부착되는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 단결정 성장방법
3 3
제1항에 있어서,상기 도가니 내부의 불순물이 제거되는 단계; 및상기 도가니 내부 및 상기 도가니와 상기 단열재 사이의 공기가 제거되는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 단결정 성장방법
4 4
제3항에 있어서,상기 도가니 내부의 불순물은 상기 도가니를 진공압력에서 설정온도로 가열함으로써 제거되는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 단결정 성장방법
5 5
제3항에 있어서,상기 공기는 상기 도가니의 내부에 불활성 가스를 주입함으로써 제거되는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 단결정 성장방법
6 6
제1항에 있어서,상기 단결정 원료는 SiC 분말인 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 단결정 성장방법
7 7
제1항에 있어서,상기 단결정은 상기 도가니 내부의 압력을 대기압 상태에서 가열한 후,상기 도가니 내부의 압력을 감압함으로써 성장되는 것을 특징으로 하는 실리콘카바이드 단결정 성장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 (주) 포스코 소재부품기술개발사업(WPM) 고품위 SiC 단결정 웨이퍼 제조 기술