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종자정의 일면에 보호막을 형성하는 단계,상기 보호막 위에 접착층을 형성하는 단계,상기 접착층을 이용하여 잉곳 성장 장치의 종자정 홀더에 상기 종자정을 고정시키는 단계,상기 종자정 위에 단결정 탄화 규소를 성장시키는 단계를 포함하고,상기 종자정을 고정시키는 단계는상기 종자정 홀더에 상기 종자정의 접착층이 접촉하도록 배치하는 단계,고진공(003c#3 x 10-7 torr)분위기를 유지하면서 100℃ 내지 120℃에서 5분 동안 진행하는 3차 열처리하는 단계,1,100℃ 내지 1,200℃에서 1시간 동안 진행하는 4차 열처리하는 단계를 포함하며,상기 3차 열처리 및 상기 4차 열처리는 상기 종자정을 가압하면서 진행하는 단결정 탄화 규소의 성장 방법
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제1항에서,상기 보호막과 상기 접착층은 동일한 액상 유기물로 형성하는 단결정 탄화 규소의 성장 방법
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제2항에서,상기 액상 유기물은 폐놀 계열 또는 포토 레지스트인 단결정 탄화 규소의 성장 방법
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제1항에서,상기 보호막을 형성하는 단계 전에,상기 종자정을 세정하는 단계를 더 포함하는 단결정 탄화 규소의 성장 방법
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제4항에서,상기 종자정을 세정하는 단계는울트라 소닉(ultrasonic) 또는 메가소닉(mega sonic)으로 세정하는 1차 세정,증류수와 불산(HF)을 20:1로 희석 시킨 용액에 10분 정도 담금질하는 2차 세정으로 이루어지는 단결정 탄화 규소 성장방법
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제1항에서,상기 보호막과 접착층은 각각 5um 내지 20um의 두께로 형성하는 단결정 탄화 규소 성장 방법
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제1항에서,상기 보호막을 형성하는 단계는고진공(003c#3 x 10-7 torr)분위기를 유지하면서 100℃ 내지 120℃에서 5분 동안 진행하는 1차 열처리,1,100℃ 내지 1,200℃에서 1시간 동안 진행하는 2차 열처리를 포함하는 단결정 탄화 규소 성장 방법
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