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에피택셜 바륨-페라이트 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015111031
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로파 소자용 재료는 믈론 자기기록용 재료로 사용되는 에피택셜(epitaxial) 박막의 제조방법에 관한 것으로써, 그 목적은 레이저 어블레이션법을 이용하여 결정배향성이 양호한 에피택셜 BaFe12O19 박막을 제조하는 방법을 제공하고자 하는데 있다.본 발명은 레이저 어블레이션법을 이용하여 박막을 제조하는 방법에 있어서, 진공상태의 반응실내에 내장된 단결정 (001)Al2O3 또는 (012)Al2O3 기판의 온도를 700℃이상의 온도로 가열한 다음, 99.99% 이상의 고순도 산소를 취입하여 산소를 500-900 mTorr의 범위로 조절하는 단계: BaFe12O19 타겟과 상기 Al2O3 기판을 회전시키면서 KrF 엑시머 레이저의 에너지 밀도를 4.4-6.67J/㎠ 범위로 조절하고 상기 BaFe12O19 타겟에 조사하여 상기 타겟으로 부터 어블레이션된 입자를 상기 Al2O3기판상에 BaFe12O19 박막을 0.4-1.5Å/s로 증착하는 단계: 및 상기 BaFe12O19 박막이 증착된 Al2O3 기판을 3-5℃/분의 냉각속도 범위로 냉각하는 단계를 포함하여 구성되는 에피택셜 BaFe12O19 박막의 제조방법에 관한 것을 그 기술적 요지로 한다.
Int. CL C23C 14/28 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019960021806 (1996.06.17)
출원인 주식회사 포스코, 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0270074-0000 (2000.07.27)
공개번호/일자 10-1997-0021360 (1997.05.28)
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자
심사청구항수 0
인명정보가 없습니다
행정처리가 정보가 없습니다
청구항 정보가 없습니다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.