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후막형반도체식산소센서

  • 기술번호 : KST2015111467
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 대표적인 산화물 반도체중의 하나인 SrTiO3를 이용하여 자동차 공연비 제어 등에 응용이 가능한 후막형 반도체식 산소센서에 관한 것이다.본발명의 목적은 산소농도(또는 분압)에 따라 전기전도 기구가 변화하여 산소센서용으로의 활용에 제한을 받는 순수한 SrTiO3에 La2O3를 첨가하여 전기적 특성을 제어할수 있는 산화물 조성물을 제공하는데 있다.본발명의 또다른 목적은 산소센서의 주된 용도인 자동차 공연비 제어용으로 활용할 수 있는 후막형 반도체식 산소센서를 제공함에 있다.따라서, 본발명은 일반식이 Sr1-yLayTiO3으로 표시되며, y가 0.01∼0.1인 산화물 조성물이 인쇄된 시간에 따른 출력전압 특성이 계단형으로 변화하는 후막형 반도체식 산소센서임을 특징으로 한다.본발명에 의한 후막형 반도체식 산소센서는 기준전극이 필요없는 간단한 구조를 이룰 수 있기 때문에 센서에 부가되는 전압, 부하저항에 따라 출력전압을 쉽게 제어할 수 있다.
Int. CL H01L 29/84 (2006.01)
CPC G01P 15/18(2013.01) G01P 15/18(2013.01) G01P 15/18(2013.01)
출원번호/일자 1019970001054 (1997.01.15)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0253114-0000 (2000.01.21)
공개번호/일자 10-1998-0065875 (1998.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000415) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.01.15)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김호기 대한민국 서울특별시 강남구
2 조성순 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박형준 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로*길 **, *층 (서초동, 삼호빌딩)(한솔국제특허법률사무소)
2 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.01.15 수리 (Accepted) 1-1-1997-0003301-38
2 특허출원서
Patent Application
1997.01.15 수리 (Accepted) 1-1-1997-0003300-93
3 출원심사청구서
Request for Examination
1997.01.15 수리 (Accepted) 1-1-1997-0003302-84
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.06.21 수리 (Accepted) 4-1-1999-0085486-82
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1999.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0265786-40
10 의견서
Written Opinion
1999.10.14 수리 (Accepted) 1-1-1999-5360061-12
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.10.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5360065-94
12 등록사정서
Decision to grant
1999.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0355075-30
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

일반식이 Sr1-yLayTiO2으로 표시되며, y가 0

2 2

제1항에 있어서, 산화물 조성물이 후막용 알루미나 기판에 인쇄된 후막형 반도체식 산소센서

3 3

제2항에 있어서, 센서층 상부 또는 하부에 백금전극이 인쇄된 후막형 반도체식 산소센서

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.