n형 단결정 GaAs 기판(1)위에 실릴콘 산화막(21)을 증착한 후 포토레지스터(22)를 사용하는 포토리소그라피방법과 화학식각 공정을 이용하여 45°거울반사면 영역(23)과 레이저 다이오드 영역(24)의 마스크를 제거하고, 이후 상기 포토레지스터(22)만 제거하고 선택적 에피택시 공정을 거쳐 삼각형의 45°거울반사면(25)과 레이저 다이오드(26)를 형성한 후 그 위에 P형 금속층(27)을 증착하며, 이후 상기 P형 금속층(27)을 마스크로 하여 상기 레이저 다이오드(26)의 경사면을 수직면(28)으로 형성하고, 상기 n형 단결정 GaAs 기판(1)의 뒷면에 n형 금속층(29)을 증착한 후 열처리 하는 과정으로 이루어짐을 특징으로 하는 선택적 에피택시법에 의한 표면방출형 AlGaAs/GaAs 반도체 레이저 다이오드의 제조방법

제1항에 있어서, 45°거울반사면 영역(23)의 폭은 10-20㎛로하고, 레이저 다이오드 영역(24)의 폭은 200-400㎛로 함을 특징으로 하는 선택적 에피택시법에 의한 표면방출형 AlGaAs/GaAs 반도체 레이저다이오드의 제조방법버

제1항에 있어서, 선택적 에피택시법으로 삼각형의 AlGaAs 층위에 GaAs 층을 차례로 적층시킬 때 그 GaAs 층이 무너져 내리는 현상(Mass transport)을 이용하여 거울반사면(25)의 각도를 조정함을 특징으로 하는 선택적 에피택시법에 위한 표면방출형 AlGaAs/GaAs 반도체 레이저 다이오드의 제조방법