고온 초전도체와 결정상수가 5% 내지 10% 상이한 기판(1)과; 상기 기판(1)의 반쪽 영역(b)에 증착되며 고온 초전도체와 결정상수가 10% 이상 상이한 박막층(2)과; 상기 박막층(2)과 기판(1)의 다른 반쪽 영역(a)에 걸쳐 증착되며 고온 초전도체의 a축 혹은 b축의 결정상수와 수% 내로 일치하여 고온 초전도체와 매칭이 잘되는 박막층(3)과; 상기 박막층(3)에 증착되는 고온 초전도체 박막층(4)을 포함하는 것을 특징으로 하는 바이에피택시얼 죠셉슨 접합소자

제1항에 있어서, 상기 기판(1)은 SrTiO3 또는 LaAlO3 단결정인 것을 특징으로 하는 바이에피택시얼 조셉슨 접합소자

제1항에 있어서, 상기 기판(1)의 반쪽 영역(b)에 증착되는 박막층(2)은 이트리아 안정화 지르코니아(YSZ : Yitrio Stabilized Zirconia)층 인 것을 특징으로 하는 바이에피택시얼 조셉슨 접합소자

제1항에 있어서, 상기 박막층(2)과 기판(1)의 다른 반쪽 영역(a)에 걸쳐 증착되는 박막층(3)은 CeO2, CuO2, Y2O3 또는 BaZrO3 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 바이에피택시얼 조셉슨 접합소자

제1항에 있어서, 상기 고온 초전도체 박막층(4)은 Y1Ba2Cu3O7-x와 같은 YBCO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 바이에피택시얼 조셉슨 접합

일정한 각도로 자른 단결정 기판을 이용하여 기판 위에 고온 초전도체를 바이에피택시얼 성장하는 공정을 포함하는 바이에피택시얼 죠셉슨 접합소자 제조방법에 있어서, 고온 초전도체와 결정상수가 5% 내지 10% 상이한 단결정 기판(1)을 결정의 c축이 표면 수직 벡터에 대해 “0°〈 α≤45°”의 범위를 갖는 각도α 만큼 기울어지도록 잘라 연마하는 제1공정과; 상기 기판(1)위에 고온 초전도체와 결정상수가 10% 이상 상이한 박막층(2)을 증착하는 제2공정과; 상기 증착된 박막층(2)의 반쪽 영역(b)을 제3도 (b)의 b축 틸트 바운더리 형태가 되도록 깍아내는 제3공정과; 상기 깍아낸 기판(1) 위에 고온 초전도체의 a축 혹은 b축의 결정상수와 수% 내로 일치하여 고온 초전도체와 매칭이 잘되는 박막층(3)을 증착하는 제4공정과; 상기 박막층(3)위에 고온 초전도체 박막층(4)을 증착하는 제5공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 바이에피택시얼 죠셉슨 접합소자 제조방법

제6항에 있어서, 상기 제3공정에서 증착된 박막층(2)의 반쪽영역(a)은 제3도 (c)의 b축 트위스트 바운더리 형태가 되도록 깍아내는 것을 특징으로 하는 바이에피택시얼 죠셉슨 접합소자 제조방법

제6항에 있어서, 상기 제2공정과 제4공정에서는 박막층(2)(3)을 rf 스퍼터링 방법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 바이에피택시얼 죠셉슨 접합소자 제조방법

제6항에 있어서, 상기 제3공정에서는 박막층(2)의 반쪽 영역(a)을 포토리소그래피 방법과 이온 밀링 방법을 이용하여 깍아내는 것을 특징으로 하는 바이에피택시얼 죠셉슨 접합소자 제조방법

제6항에 있어서, 상기 제5공정에서는 고온 초전도체 박막층(4)을 dc 스퍼터링 방법을 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 바이에피택시얼 죠셉슨 접합소자 제조방법