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기판과, 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 하부반사경층, 이득매질층, 및 상부반사경층과, 상기 기판의 뒷면에 형성된 제1 전극과, 상기 상부반사경 상에 형성되되 그 중앙부를 노출시키는 개구부를 가지는 제2 전극을 포함하여, 상기 제1 전극 및 제2 전극에 인가되는 구동전류에 의해 그 적층방향으로 광을 출사하는 표면광 레이저부와; 상기 제2 전극의 개구부에 의해 노출되는 상기 상부반사경층 상에 형성되어 출사되는 상기 광의 일부를 흡수하여 그 검출신호를 출력하는 모니터용 광검출기를 구비하는 것을 특징으로 하는 모니터용 광검출기 일체형 표면광 레이저장치에 있어서, 상기 모니터용 광검출기는, 상기 제2 전극의 개구부에 의해 노출되는 상기 상부반사경층 상에 순차적으로 적층된 제1 불순물 반도체층, 진성반도체층, 및 제2 불순물 반도체층과; 상기 제2 불순물 반도체층 상에 형성되되 상기 제2 불순물 반도체층의 중앙부를 노출시키는 개구부를 가지는 제3 전극과; 상기 표면광 레이저부에서 출사되는 자발방출광에 의한 광전류가 제거되도록 상기 진성반도체층과 상기 제1 및 제2 불순물 반도체층 사이에 각각 개재되고, 그 각각의 중앙부에 개구부를 가지는 상부 및 하부절연층을 구비하는 것을 특징으로 하는 모니터용 광검출기 일체형 표면광 레이저장치
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제1 항에 있어서, 상기 제1 및 제2 불순물 반도체층은 각각 복수개의 층이 적층되어 이루어지고, 상기 제1 불순물 반도체층의 최상층과 상기 제2 불순물 반도체층의 최하층은 각각 AlxGa1-xAs로 이루어지며, 상기 상부 및 하부 절연층은 상기 AlxGa1-xAs가 산화되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 모니터용 광검출기 일체형 표면광 레이저장치, 단 0
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제2 항에 있어서, 상기 제1 불순물 반도체층은 Zn이 도핑된 AlyGa1-yAs층과 Zn이 도핑된 AlxGa1-xA층이 순차적으로 적층되어 이루어지고, 상기 하부절연층은 상기 Zn이 도핑된 AlxGa1-xAs가 산화되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 모니터용 광검출기 일체형 표면광 레이저장치, 단 0
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제 2항에 있어서, 상기 제2 불순물 반도체층은 Si 이 도핑된 AlxGa1-xA층, Si이 도핑된 AlyGa1-yAs층, 및 Si이 도핑된 GaAs층이 순차적으로 적층되어 이루어지고, 상기 상부절연층은 상기 Si 이 도핑된 AlxGa1-xAs가 산화되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 모니터용 광검출기 일체형 표면광 레이저장치, 단 0
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제 1항에 있어서, 상기 진성반도체층이 상기 표면광 레이저의 내부 광세기가 최대되는 곳에 위치하는 것을 특징으로 하는 모니터용 광검출기 일체형 표면광 레이저장치
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제 1항에 있어서, 상기 이득매질층과 상기 상부반사경층 사이에 개재되어 설치되되 그 중앙부에 개구부를 가지는 고저항층을 더 구비하여 그 개구부를 통해서만 정공이 흐르도록 가이드 하는 것을 특징으로 하는 모니터용 광검출기 일체형 표면광 레이저장치
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제 6항에 있어서, 상기 고저항층은 상기 상부반사경층에 양성자가 주입되어 이루어지거나, AlxGa1-xAs의 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 모니터용 광검출기 일체형 표면광 레이저장치, 단 0
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기판과, 상기 기판 상에 순차적으로 적층된 하부반사경층, 이득매질층, 및 상부반사경층과, 상기 기판의 뒷면에 형성된 제1 전극과, 상기 상부반사경 상에 형성되되 그 중앙부를 노출시키는 개구부를 가지는 제2 전극을 포함하여, 상기 제1 전극 및 제2 전극에 인가되는 구동전류에 의해 그 적층방향으로 광을 출사하는 표면광 레이저부와; 상기 제2 전극의 개구부에 의해 노출되는 상기 상부반사경층 상에 형성되어 출사되는 상기 광의 일부를 흡수하여 그 검출신호를 출력하는 모니터용 광검출기를 구비하는 것을 특징으로 하는 모니터용 광검출기 일체형 표면광 레이저장치의 제조방법에 있어서, 상기 모니터용 광검출기를 제조하는 단계는, 상기 상부반사경층 상에 Zn이 도핑된 AlyGa1-yAs층과, Zn이 도핑된 AlxGa1-xAs층이 순차적으로 적층되어 이루어진 제1 불순물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 불순물 반도체층상에 GaAs로 이루어진 진성반도체층을 형성하는 단계; 상기 진성반도체층상에 Si이 도핑된 AlxGa1-xAs층, Si이 도핑된 AlyGa1-yAs층, 및 Si이 도핑된 GaAs층이 순차적으로 적층되어 이루어지는 제2 불순물 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 Zn이 도핑된 AlxGa1-xAs층과 상기 Si이 도핑된 AlxGa1-xAs층이 측면으로부터 산화되도록 상기 결과물을 습식산화하되 그 각각의 중앙부는 산화되지 않도록 함으로써 AlxGa1-xAs의 산화물로 이루어지는 하부 및 상부절연층을 각각 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 모니터용 광검출기 일체형 표면광 레이저장치 제조방법, 단, 0
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