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캔틸레버와광원의집적소자및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015111664
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초미세량 센서 등에 응용되는 캔틸레버(cantilever)와 광원(LED, LD 또는 SEL)을 단일 기판 위에 집적한 소자와 그 제조방법에 관한 것이다.상세하게는 광원으로부터 캔틸레버까지의 거리는 광위치 변화의 증폭률에 영향을 미치지 않으므로 광원과 캔틸레버를 하나의 기판 상에 여러 가지 형태로 집적하여, 광원과 캔틸레버를 근접 배치함으로써 정렬이 불필요하며, 소자가 차지하는 공간이 더욱 축소되고, 특히 빛의 초점조절에 대한 제한을 줄인 것이다.본 발명에 의한 집적소자는 캔틸레버의 미세변위를 정확하게 측정하는 것이 가능하므로 미세물리량(가속도, 질량, 변위, 온도 등) 센서에 응용될 수 있으며, SPM(Scanning Probe Microscope) 팁의 변위 측정에 이용할 수 있고, 또한 광소자와 LD(Laser Diode)의 정렬에 이용할 수도 있다.
Int. CL H01S 5/30 (2006.01)
CPC G01Q 20/02(2013.01) G01Q 20/02(2013.01)
출원번호/일자 1019970000024 (1997.01.03)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-0265384-0000 (2000.06.13)
공개번호/일자 10-1998-0065177 (1998.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000915) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.01.03)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전수근 대한민국 전라북도 군산시
2 홍성철 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.01.03 수리 (Accepted) 1-1-1997-0000079-71
2 특허출원서
Patent Application		 1997.01.03 수리 (Accepted) 1-1-1997-0000077-80
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.01.03 수리 (Accepted) 1-1-1997-0000078-25
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.08 수리 (Accepted) 4-1-1999-0002352-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1999.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0228875-04
10 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1999.09.22 수리 (Accepted) 1-1-1999-5341057-38
11 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1999.10.25 수리 (Accepted) 1-1-1999-5369735-20
12 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1999.11.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5402170-54
13 의견서
Written Opinion		 1999.11.26 수리 (Accepted) 1-1-1999-5402169-18
14 등록사정서
Decision to grant		 2000.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0135128-06
15 FD제출서
FD Submission		 2000.07.15 수리 (Accepted) 2-1-2000-5114915-56
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

캔틸레버와 광원을 단일 기판 위에 집적하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버와 광원의 집적소자

2 2

제 1항에 있어서, 실리콘 기판(30)의 면 C(29)의 내부에 발광소자 홀더(27)와 발광소자(LED 또는 LD)를 집적하고, 실리콘 기판(30)의 상부에 상부 일측에는 SiO2층(26)을 사이에 두고 Si3N4층(25)으로 캔틸레버를 집적하고, 상기 Si3N4층(25)의 자유단에는 반사면 A(22) 또는 반사면 B(28)를 갖는 역피라미드 형상의 금속 팁(21)이 부착되는 것을 특징으로 하는 캔틸레버와 광원의 집적소자

3 3

제 2항에 있어서, Si3N4층(25)의 상부면에는 상부전극(23)이 형성되고, 상기 내부에 발광소자 홀더(27)와 발광소자(LED 또는 LD)가 형성된 SiO2층(26)이 적층되어 있지 않는 실리콘 기판(30)의 상부면에는 p+ 또는 n+ 확산층으로 하부전극(24)이 형성되어 폐쇄루프제어가 가능한 것을 특징으로 하는 캔틸레버와 광원의 집적소자

4 4

제 1항에 있어서, GaAs/InP 기판(60)에 단차(段差)를 두어 고단부에는 발광소자(57)를 집적하고, 상기 발광소자(57) 상부에는 캔틸레버로 사용되며 빛을 렌즈(53)까지 도달하도록 하는 SiO2/Si3N4 광도파로(51)가 길게 형성되어 광도파관을 이루며, 상기 광도파로(51) 끝에는 빛을 모으기 위한 렌즈(53)가 구비되고, 발광소자(57)와 접촉되지 않은 SiO2/Si3N4 광도파로(51)의 자유단 하부에는 메탈 팁(58)이 구비되는 것을 특징으로 하는 캔틸레버와 광원의 집적소자

5 5

제 4항에 있어서, 상기 SiO2/Si3N4 광도파로(51) 상부에는 메탈 웨이트(52)가 구비되고, GaAs/InP 기판(60) 저단부에 하부전극(55)이 형성되며, 하부전극(55)이 형성된 위치의 양측 광도파로(51) 위에 상부전극(54)이 형성되어 폐쇄루프제어가 가능한 것을 특징으로 하는 캔틸레버와 광원의 집적소자

6 6

제 1항에 있어서, 실리콘 기판(72)을 비스듬히 깎은면에 발광소자(71)가 집적되고, 상기 실리콘 기판(72)의 하부에 캔틸레버(73)가 집적되며, 캔틸레버(73)의 자유단 하부에는 메탈 팁(74)이 형성되는 것을 특징으로 하는 캔틸레버와 광원의 집적소자

7 7

제 1항에 있어서, 실리콘 기판(80)의 하부에 Si3N4층(82)이 형성되고, 상부면에는 Si3N4층(82)과 금속(81)이 나란히 적층되어 캔틸레버와 발광소자 홀더가 형성되며, 캔틸레버의 자유단에는 팁(84)이 구비되고, 상기 캔틸레버 위의 발광소자 홀더에 발광소자(83)가 구비되며, 발광소자 홀더의 한 경사면이 반사면(85)으로 이용되는 것을 특징으로 하는 캔틸레버와 광원의 집적소자

8 8

제 1항에 있어서, 실리콘 기판(90) 위에 Si3O4 층(92)과 금속(91)이 적층되어 캔틸레버를 이루고, 캔틸레버의 자유단 하부에는 팁(94)이 구비되며, 상기 팁(94)이 구비된 캔틸레버 위에 표면 방사 레이저(93)가 집적되는 것을 특징으로 하는 캔틸레버와 광원의 집적소자

9 9

실리콘 기판(100) 위에 SiO2층과 Si3N4층을 성장시킨 후에(111) 캔틸레버로 사용될 물질로 에치 피트를 채우고, 포토레지스트와 대량의 실리콘을 선택적으로 제거시켜 캔틸레버의 팁을 제작하는 제 1공정과; 실리콘 기판의 배면을 에칭하여 발광소자 홀더를 형성시키는 제 2공정과; 발광소자(LED 또는 LD)를 제작하여 플립 칩 방법으로 상기 발광소자 홀더에 부착시키는 제 3공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버와 광원을 단일 기판위에 집적한 소자의 제조방법

10 10

제 9항에 있어서, 상기 캔틸레버의 팁을 제작하는 제 1공정은 팁을 빛을 아래로 반사시키는 거울로도 사용하기 위하여 실리콘 기판의 비등방성 식각 특성을 이용하여 역피라미드 혹은 V 홈 형태로 식각한 후, 여기에 금속을 채운 다음 실리콘 기판 부분을 제거하고 금속 부분을 남김으로써 금속 팁을 제작하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버와 광원을 단일 기판 위에 집적한 소자의 제조방법

11 11

제 9항에 있어서, 상기 캔틸레버의 팁을 제작하는 제 1공정은 팁을 빛을 위로 반사하는 거울로도 사용하기 위하여 실리콘 기판에 식각된 역피라미드 혹은 V 홈에 금속을 증착할 때 모난 증착 혹은 패터닝에 의해 한 쪽면(반사면 B)의 금속을 제거하고, 피라미드의 다른 면(반사면 A) 만을 남겨 금속 팁을 제작하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버와 광원을 단일 기판위에 집적한 소자의 제조방법

12 12

제 9항에 있어서, 폐루프제어를 위하여 상기 Si3N4층 위에 상부전극을, 상기 발광소자 홀더가 형성된 실리콘 기판 위에 하부전극을 제작하는 제 4공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 캔틸레버와 광원을 단일 기판 위에 집적한 소자의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.