1 |
1
아래의 구조식(Ⅰ)로 표시되는 포토레지스트용 노르보넨 단량체,
2
아래의 구조식(Ⅱ)로 표시되는 포토레지스트용 노르보넨 단량체,
3
아래의 구조식 (XII) 또는 (XIII)로 표시되는 알코올과 2-클로로카르보닐-5-노르보넨 유도체를 반응시켜 청구항 1의 구조식 (Ⅰ) 또는 청구항 2의 구조식 (Ⅱ)로 표시되는 노르보넨 단량체를 제조하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 노르보넨 단량체 제조방법,
4
아래의 구조식 (Ⅲ)으로 표시되는 중합체와 광산발생제를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트,
5
아래의 구조식 (Ⅳ)으로 표시되는 중합체와 광산발생제를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트,
6
아래의 구조식 (Ⅴ)으로 표시되는 중합체와 광산발생제를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트,
7
아래의 구조식 (Ⅵ)으로 표시되는 중합체와 광산발생제를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트,
8
청구항 1의 구조식 (Ⅰ) 또는 청구항 2의 구조식 (Ⅱ)로 표시되는 노르보넨 단량체를 단독 중합하거나, 말레산 무수물과 공중합하거나, 또는 말레산무수물과 함께 실리콘을 함유하는 아크릴레이트나 메타아크릴레이트 단량체를 혼합하여 중합시킴으로써 중합체를 제조하는 단계; 및 상기 중합체와 광산발생제를 용매에 용해시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 제조방법
|
9 |
9
제4 항 내지 제7 항 중의 어느 한 항에 의한 포토레지스트에 대한 패턴형성방법에 있어서, 상기 포토레지스트를 기판 상에 도포하여 포토레지스트막을 형성하는 단계; 노광 마스크를 통하여 상기 포토레지스트막을 노광시키는 단계; 상기 노광된 결과물을 열처리하는 단계; 및 산소 플라즈마를 이용하는 반응성 이온 에칭 방법으로 상기 포토레지스트막 중에서 노광된 부위만을 선택적으로 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트패턴 형성방법
|