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인쇄회로기판의 제조방법 및 다층 인쇄회로기판

  • 기술번호 : KST2015112023
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인쇄회로기판의 제조방법으로서,(a) 패턴이 형성된 금속판의 상부에 금속을 도금하여 금속 전도선을 형성하는 단계; (b) 상기 단계 (a)를 거친 금속판의 상부에 기판으로 되는 고분자층을 형성하고 건조하는 단계; (c) 상기 고분자층에 비아홀을 형성하고 전기도금하여 내부를 충진하는 단계; 및 (d) 금속판을 제거하는 단계를 포함한다.상기 구성에 의하면 기판면적의 효율성을 극대화하며, 별도의 에칭작업을 필요로 하지 않아 회로의 미세화 내지는 고집적화가 가능하다
Int. CL H05K 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020020049550 (2002.08.21)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2004-0017478 (2004.02.27) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.08.21)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이혁재 대한민국 대전광역시유성구
2 유진 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2002-0269949-49
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2004-0001933-29
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.03.19 수리 (Accepted) 4-1-2004-0012166-74
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0042469-56
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0313852-13
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2004.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2004-0445435-47
8 의견서
Written Opinion
2004.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2004-0501067-41
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2005.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0151316-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

인쇄회로기판의 제조방법에 있어서,

(a) 패턴이 형성된 금속판의 상부에 금속을 도금하여 금속 전도선을 형성하는 단계; (b) 상기 단계 (a)를 거친 금속판의 상부에 기판으로 되는 고분자층을 형성하고 건조하는 단계; (c) 상기 고분자층에 비아홀을 형성하고 전기도금하여 내부를 충진하는 단계; 및 (d) 금속판을 제거하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조방법

2 2

제 1항에 있어서, 상기 단계 (a)는

금속전도선이 형성된 금속판의 상부에 커플링에이전트를 도포하는 단계가 추가로 포함됨을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조방법

3 3

제 1항에 있어서, 상기 단계 (a)는

금속전도선의 상부에 크롬층을 형성하는 단계가 추가로 포함됨을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조방법

4 4

제 1항에 있어서, 상기 금속판의 재질은

스테인레스스틸, 알루미늄, 니켈에서 선택됨을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조방법

5 5

제 1항에 있어서, 금속전도선은

구리, 알루미늄, 크롬, 주석, 니켈, 금에서 선택되는 1종 또는 2종 이상의 금속으로부터 선택됨을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조방법

6 6

제 1항에 있어서, 상기 고분자는

폴리이미드, 폴리이미드레진, 프리프레그에서 선택됨을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조방법

7 7

제 1항에 있어서, 상기 (b)단계는

고분자층의 건조는 포토레지스트의 건조 온도보다 낮은 온도에서 이루어짐을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조방법

8 8

제 7항에 있어서,

고분자층의 건조는 80∼110℃의 범위에서 이루어짐을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조방법

9 9

제 1항에 있어서, 비아홀은

야그(YAG), CO2, UV 레이저 중에서 선택되는 어느 하나에 의해 형성됨을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조방법

10 10

제 1항에 있어서, 비아홀의 충진 금속은

솔더, 주석, 니켈, 구리, 크롬, 알루미늄, 금에서 선택되는 1종 또는 2종이상의 금속으로부터 선택됨을 특징으로 하는 인쇄회로기판의 제조방법

11 11

인쇄회로기판 중간체에 있어서,

소정 패턴(2)이 형성된 금속판(1);

상기 금속판(1)의 상부에 금속을 도금하여 형성된 금속 전도선(3);

상기 패턴(2) 및 금속전도선(3)의 상부에 형성된 고분자층(4); 및

상기 고분자층에 형성되고 전기도금으로 내부가 충진된 비아홀(5)을 포함함을 특징으로 하는 인쇄회로기판 중간체

12 12

제 1항의 인쇄회로기판이 적층된 다층 인쇄회로기판

지정국 정보가 없습니다
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1 US06902660 US 미국 FAMILY
2 US20040035711 US 미국 FAMILY

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1 US2004035711 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US6902660 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.